射频模拟电路答案

射频模拟电路答案

【篇一：02如何快速入门电子技术】

>作者：刘昆山

众所周知，学习讲究方法，方法对了，事半功倍，越学越有味。方法不对，耗时耗力，困难重重，且可能随时让你产生放弃的念头。

万事开头难，同样，学电子技术的关键在于入门，故电子初学者首先要解决的就是如何快速入门的问题。针对此，本人在这里做一个简单的阐述。

学习电子技术必须注重“理论+实践”的方法。如果只学理论知识而不动手操作，则收效甚微；如果只进行实践操作而不学习理论知识，效果也不明显。因此，学好电子技术必须做到理论、实践同时学，即既进行理论知识的学习又进行实践动手能力的充分锻炼。

一、如何快速学理论知识

很多电子初学者最头痛的一件事，就是学理论知识，有些朋友索性就避开理论不学。可要知道，不学理论而只动手操作，就像“无源之水”、“无本之木”，是很难真正掌握电子技术。要学好电子技术，必须学好电子基础理论知识。

看书是最基本的学习方法，但是看书往往费时费脑，且不容易入门。请身边的朋友帮忙指点下，朋友不一定会倾其全心，即使想倾其全心，也不一定能倾其全力，因为他不一定有时间。

下面推荐四部视频教程，这里面涵盖了电子专业必修的电子基础理论知识：

1、电路分析基础(电子科大)钟洪声主讲的视频教程；

2、模拟电子电路设计(电子科大)曲建主讲的视频教程；

3、数字电子基础(电子科大)金燕华主讲的视频教程；

4、射频模拟电路全集(电子科大)杨玉梅主讲的视频教程。

有了这四部视频教程，任何人都可以自学入门电子技术，打下坚实的理论基础，为以后成为电子工程师提供基础理论知识和实践操作能力。

二、如何快速掌握实践动手能力

我们都知道，光有理论不会实践、不会动手，学了等于白学。那如何提高实践动手能力呢？很多电子爱好者为此非常困惑，下面我来为大家解决这个问题。

我们主张电子技术初学者最好用万能板焊接电子制作产品，因为这种电子制作的方法，不仅能练习焊接技术，同时还能提高识别电路图和分析原理图的能力，为日后维修、设计电子产品打下坚实的基础。

因此我们开发的入门型电子制作均采用万能板+元器件的设计模式，我们保证所有产品我们都制作过，并且成功。 下面我推荐几款我们设计的电子制作方案：

1、电路模型设计与制作；

2、多谐振荡器双闪灯电路设计与制作；

3、基于555定时器闪光电路设计与制作；

4、lm317可调稳压直流电源电路设计与制作套件；

5、4017十路流水灯电路设计与制作套件；

6、模拟电子蜡烛电路设计与制作套件；

7、红外二极管感应电路设计与制作套件。

要完成上面推荐的电子制作，只需要购买200元左右的电子制作常用工具和电子制作入门套件，我想每一个电子学习者都应该购买的电子制作常用工具和套件的。

三、电子从业者的三个层次

学习电子技术的目的是为了应用，为了解决生活中的实际问题，为了有个谋生的本领，我归纳了电子从业者的三个层次。

第一个层次会识别简单的电路原理图，会依据电路图成功制作电子产品，这类从业者的代表有一线上的普工、操作工、流水线生产工人等，月薪在3000元左右。

第二个层次除了掌握第一个层次的技术外，还会根据电路图分析产品故障，能正确判断故障的部位，能拿出解决的方案并能顺利的维修好。这类从业者的代表有企业的维修师傅、售后站的工作人员、开维修店的老板等，月薪在5000元左右。

第三个层次除了掌握第二个层次的技术外，还会对传

统的产品进行改造、会参考国外的产品设计新产品。这类从业者的代表有电子工程师、技术团队的领导等，月薪在10000元左右，从业时间十年以上的年薪一般在20万元以上。 为了能帮助广大电子爱好者顺利的学到第三个层次，理论实践一体化学习，《科普电子制作》淘宝店铺根据理论实践一体化学习的需要，提供了电子制作套件、电子制作工具、电子制作文档、视频教程等资料。本文提到的视频教程和电

【篇二：微波学习的书籍推荐列表】

中国集成电路大全编委会

国防工业

2。砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路

李效白

科学出版社

3。微波固体电路

黄香稪

成都电讯工程学院

4。薄厚膜混合集成电路

胡忠偦等

国防工业

5。微波器件和电路

（美）s。y。利奥

科学

6。微波集成电路设计

顾其诤

人民邮电

7。微波电路计算机辅助设计（上，下）

高葆新

清华

8。射频电路设计------理论与应用

美（有英文原版和中译本）

电子工业

9。微波电路cad软件应用技术 李润旗国防工业

10。微波技术与天线 王新稳 电子工业

11。微波半导体控制电路 (米) j.f.怀特 科学

12。微波固态频率源理论。设计。应用 费元春 国防

13。微波工程基础 米 r.e.柯林 人民邮电

*14。宽带匹配网络的理论与设计 米 陈惠开 人民邮电

15。有源网络与反馈放大器理论 米 陈惠开 科学

16。晶体管原理与设计 陈新弼 成都电讯工程学院

17。微带功率晶体管放大器 袁效康 人民邮电

18。宽带匹配网络 黄香稪

西北电讯工程学院

19。微波晶体管放大器分析与设计 米 guillermo gonzalez中英文 清华大学

20。电子线路pspice分析与设计 赵雅兴 天津大学

21。模拟电路的计算机分析与设计pspice程序应用 高文焕 清华大学

22。微带电路 清华大学《微带电路》编写组 人民邮电

23。微波低噪声晶体管放大器 陈天麒 人民邮电

24。微波半导体器件 毛钧业 成都电讯工程学院

25。microwave and rf circuits: analysis,synthesis and design, max w.medley,

artech house ,boston.london

26。毫米波工程基础 薛良金 国防工业

27。固态高频电路 胡见堂 谭博文 余德泉 国防科技大学

28。相控阵雷达系统 张光义 国防工业

29。微波线性无源网络 林守远 科学

30。微波电路的计算机辅助设计 k.c.格普塔 科学

31。现代微波滤波器的结构与设计 上下册 甘本跋 吴万春 科学

32。微波电路 喝崇俊 国防科技大学

33。微波技术 吴明英 西北电讯工程学院

34。微波网络及其应用 梁联倬 电子工业

35。微波电子线路 武国英 电子工业

36。微波与光电子学中的电磁理论 张克潜 电子工业

37。射频通信电路 陈邦媛 科学

38。radio frequency and microwave electronics illustrated by matthew

m.radmanesh ,prentice hall ptr

39。电子元器件可靠性工程 孙青 电子工业

40。数字电路与系统 刘宝琴 清华大学

41。晶体管原理 张屏英 上海科学技术

42。最优化计算方法 浙江大学

43。微波技术基础 廖乘恩 西安电子科技大学

44。集成固态微波电路 吴万春 国防工业

45。微波网络 林为干 国防工业

46。solid-state radar transmitters by edward d.ostroff

47。微波网络及其应用 吴万春 西北电讯工程学院

48。the microwave engineering handbook ,volume1,2,3

49。rf design guide: systems , circuits and equations by vizmuller,peter

50。widebnad circuit design by herbert j.carlin

51。nonlinear microwave circuits by stephen a maas , artech house

52。ic 设计基础 任艳颖 西安电子科技大学

53。电磁场与电磁波 谢处方 饶克谨

54。工程电磁场分析与计算 俞宏生 人民交通

55。射频模拟电路 张玉兴 电子工业

56。线性网络综合理论基础 人民邮电

57。微波功率测量 人民邮电

58。雷达接收机 人民邮电

1。microwave solid-state circuits and applications by kai chang

2。solid-state microwave amplifier design by tri t.ha

3。rf/microwave circuit design for wireless applications by ulrich l.rohde

and david p

4。microwave and rf design of wireless systems

5。microstrip filters for rf microwave applications

6。rf power amplifiers for wireless communications

7。rf technologies for low power wireless communications

8。rf cmos power amplifiers:theory, design and implementation

9。rfic and mmic design and technology

【篇三：lna现状】

低噪声放大器是现代无线通信、雷达、电子对抗系统等应用中一个非常重要的部分，常用于接收系统的前端，在放大信号的同时抑制噪声干扰，提高系统灵敏度。

如果在接收系统的前端连接高性能的低噪声放大器，在低噪声放大器增益足够大的情况下，就能抑制后级电路的噪声，则整个接收机系统的噪声系数将主要取决于放大器的噪声。如果低噪声放大器的噪声系数降低，接收机系统的噪声系数也会变小，信噪比得到改善，灵敏度大大提高。由此可见低噪声放大器的性能制约了整个接收系统的性能，对于整个接收系统技术水平的提高，也起了决定性的作用。

低噪声放大器是雷达、电子对抗及遥测遥控接受系统等的关键部件。l、s波段低噪声放大器一般用于遥测、遥控系统。在电子对抗、雷达侦察中，由于要接收的信号的频率范围未知，其实频率范围也是要侦察的内容之一，所以要求接收系机的频率足够宽，那么放大器的频率也要求足够宽。而且，雷达侦察接收的是雷达发射的折射波，是单程接收；而雷达接收的是目标回波，从而使侦察机远在雷达作用距离之外就能提早发现雷达目标。灵敏度高的接收机侦察距离就远，如高灵敏度的超外差式接收机可以实现超远程侦察，用以监视敌远程导弹的发射，所以，要增高侦察距离，就要提高接收机灵敏度，就要求高性能的低噪声放大器。

在国际卫星通信应用中, 低噪声放大器的主要发展要求是改进性能和降低成本。由于国际通信量年复一年地迅速增加, 所以必须通过改进低噪声放大器的性能来满足不断增加的通信要求。因此, 要不懈地不断努力去展宽带低噪声放大器的带宽和降低其噪声温度。从经济观点出发, 卫星通信整个系统的成本必须减少到能与海底电缆系统相竞争。降低低噪声放大器的噪声温度是降低卫星通信系统成本的一种最有效的方法, 因为地面站天线的直径可以通过改善噪声温度性能而减小。 另一方面, 在国内卫星通信应用中, 重点放在低噪声放大器的不用维修特性以及低噪声

和宽带性能, 因为在这些系统中越来越广泛地采用无人管理的工作方式, 特别在电视接收地面站中更是如此。 卫星通信用的低噪声放大器可以分为两种类型——低噪声参量放大器和场效应晶体管低噪声放大器。这些低噪声放大器用在几个频段内, 包

括4ghz, 12ghz和毫米波频段。宽带低噪声放大器的实现又有很多种类型。sige工艺具有优异的射频性能，更由于其较高的性价比，被广泛应用于移动通信、卫星定位和rfid等市场；sige工艺还可以与常规的数字模拟电路相集成，制造出功能完整的soc芯片。目前采用sige材料制作射频集成电路已成为国际上的研究热点。实现前端的低噪声放大器是最近兴起的超宽带射频通信系统中的挑战之一。业界一直在追求完全集成的超宽带通信系统soc，与其他工艺相比，cmos工艺更易于系统集成,所以人们设计出了许多的cmos工艺的超宽带低噪声放大器。

4ghz频段是目前卫星通信最通用的频段, 它用于国际卫星通信和国内卫星通信, 包括电视接收地面站。在这些领域内, 已经研制出了各种各样的低噪声放大器并已得到了应用。低噪声参量放大器和场效应晶体管低噪声放大器根据其冷却系统可以分为三种类型, 即深致冷型式, 热电致冷型式和非致冷型式。深致冷低噪声参量放大器在卫星通信的初期得到广泛的使用。而今天, 除了一些特殊应用以外, 这种型式的参放几乎不象以前那样广泛地使用, 这是因为有维修困难等几方面的原因。热电致冷和非致冷低噪声参量放大器主要用在国际卫星通信地面站中, 有时也用在国内卫星通信的关键地面站。由于变容管的改进和泵频的提高, 这些低噪声放大器几乎具有深致冷参放那样的低噪声温度。场效应晶体管低噪声放大器主要用在国内卫星通信地面站中, 特别是用在电视接收地面站中。在这些场合,几乎普遍采用热电致冷和非致冷型式。深致冷型式仅仅用在特殊的场合。

2发展状况及趋势

能够放大微波射频信号的元件有很多，速调管和行波管专门用于高功率场合下放大微波射

频信号，而且噪声很高；参量放大器可用于低噪声放大，但是带宽较窄；利用半导体材料的雪崩效应工作的雪崩二极管，因为其噪声较大多数用作负载功率放大器；另外，还有隧道二极管、体效应二极管等微波固体器件，但前者承受信号功率小，易于烧毁而应用很少，而后者工作电压低、调频噪声小而多用于振荡器。量子放大器的噪声系数最好，但是它庞大而且昂贵。

到上世纪四十年代微波晶体管的问世，由于其体积小、重量轻使得其成为微波固体器件的一个重要分支。到了六十年代中期，由于平面外延工艺的发展，双极晶体管能够应用于微波射频波段。而且，随着半导体材料和工艺的迅速发展，场效应晶体管紧接着也应用于微波射频频

段。微波晶体管放大器具有宽频带、稳定性好、噪声性能好、动态范围大等优点。

图1.1 几种常见的lna结构

图1.1(a)所示电路，在栅极并联一个匹配电阻(在窄带应用中，为实现调谐还可以在mosfet栅极并联一个到地的电感)，虽然可以实现共轭匹配，但是对放大器的噪声系数影响很大，不适合于要求低噪声系数的场合。图1.1(b)所示共栅极电路，它可以在低电压下工作，其输入电阻就

一。在60ghz下，用gaas基的hemt器件能够达到nf＝1.7db，ga＝7.6db。inp-hemt在1987年问世之后的几年里，噪声性能已提高到令人惊奇的程度，是目前毫米波高端应用最好的低噪声器件。在60ghz下，inp-hemt能够达到nf＝0.9db，ga＝8.6db。目前，用hemt制作的多级低噪声放大器已广泛用于卫星接收系统、电子系统及雷达系统。

高电子迁移率晶体管及异质结双极晶体管的出现和gaas工艺的成熟，给微波单片集成电路(mmic)的发展奠定了基础。在mmic中，通常由各种器件、集总参数元件和分布参数元件按照

一定的电路拓扑排列而构成。从电路的结构上来看，这和混合微波集成电路有着很多相似的方面，两者既有联系又有区别。在mmic中的元件包括有源元件和无源元件两类。主要是利用mesfet或hemt作为有源元件。无源元件除了各种形状的

传输线构成的分布参数元件外，一些集总元件也经常使用。

进入90年代，随着晶体材料技术和微细加工技术的发展，毫米波mmic进入实用化阶段。mmic开始主要应用于军用系统，90年代以来，mmic在商用产品中开拓了广阔的市场。这主要是商用无线通信市场，如低轨道卫星移动通信、环球定位卫星系统等。长期以来，射频集成电路实现工艺是以gaas、sige衬底的bicmos/bipolar工艺处于主导地位，主要是由于他们的高截止频率、高增益以及相对较低的噪声。但是，由于通信电路的基带处理、数字信号处理通常都采用集成度更高的cmos工艺，因此工艺的不兼容性长期以来成为了射频集成电路发展的一个瓶颈。近年来人们对硅基深亚微米cmos工艺技术发展作了不懈努力，mos晶体管的性能得到了显著的提高，例如，mosfet的截止频率已经达到了150ghz，这使得采用cmos工艺实现射频集成电路成为可能。而且，与传统的射频工艺相比，cmos工艺有着先天的优势——高集成度(与基带、数字信号处理模块工艺兼容)、低成本。所以cmos射频集成电路成为当前的研究热点。