高温碲镉汞中波红外探测器的国内外进展

第３９卷第２期　２０１７年２月　红外技术　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｖｂ１．３９　ＮＯ．２　Ｆｅｂ．２０１７　高温碲镉汞中波红外探测器的国内外进展　周连军，韩福忠，白丕绩，舒畅，孙皓，　王晓娟，李京辉，邹鹏程，郭建华，王琼芳　（昆明物理研究所，云南昆明６５０２２３）　摘要：介绍了欧美发达国家在高工作温度碲镉汞中波红外探测器上的工艺技术路线及典型产品技术指　标。对昆明物理研究所研制的基于标准ｎ—ｏｎ—Ｐ（Ｈｇ空位掺杂）工艺的中波６４０￣５１２（１５　ｍ）探测器　进行了高工作温度性能测试，测试结果显示器件性能基本达到国外产品的同期研制水平。　关键词：碲镉汞；高工作温度；红外探测器；标准ｎ—ｏｎ—Ｐ工艺　中图分类号：ＴＮ２１５　文献标识码：Ａ　文章编号：１００１．８８９１（２０１７）０２．０１１６—０９　Ｒｅｖｉｅｗ　ｏｆ　ＨＯＴ　ＭＷ　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｄｅｔｅｃｔｏｒ　Ｕｓｉｎｇ　ＭＣＴ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ＺＨＯＵ　Ｌｉａｎｊｕｎ，ＨＡＮ　Ｆｕｚｈｏｎｇ，ＢＡＩ　Ｐｉｊｉ，ＳＨＵ　Ｃｈａｎｇ，ＳＵＮ　Ｈａｏ，ＷＡＮＧ　Ｘｉａｏｊｕａｎ，　ＬＩ　Ｊｉｎｇｈｕｉ，ＺＯＵ　Ｐｅｎｇｃｈｅｎｇ，ＧＵＯ　Ｊｉａｎｈｕａ，ＷＡＮＧ　Ｑｉｏｎｇｆａｎｇ　（Ｋｕｎｍｉｎｇ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，Ｋｕｎｍｉｎｇ　６５０２２３，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｓｅｖｅｒａｌ　ｋｉｎｄｓ　ｏｆ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｒｏａｄｍａｐ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ａｎｄ　ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ｔｙｐｉｃａｌ　ｐｒｏｄｕｃｔ　ｆｏｒ　ＨＯＴ（ｈｉｇｈ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ＨｇＣｄＴｅ　Ｍｗ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｆｒｏｍ　Ｅｕｒａｍｅｒｉｃａｎ　ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ　ｃｏｕｎｔｒｉｅｓ　ａｒｅ　ｒｅｖｉｅｗｅｄ　ｉｎ　ｔｈｉｓ　ｐａｐｅ￣Ａ　６４０×５１２（１５　ｐ．ｍ、ＭＷ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｔｈａｔ　ｗａｓ　ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｄ　ｂｙ　Ｋｕｎｍｉｎｇ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｔａｎｄａｒｄ　ｎ－－ｏｎ－－ｐ（Ｈｇ　ｖａｃａｎｃｙ　ｄｏｐｅｄ）ｐｒｏｃｅｓｓ　ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｕｔｐｕｔ　ｗａｓ　ｓｅｌｅｃｔｅｄ　ｏｒ　ｆｄｅｔａｉｌｅｄ　ＨＯＴ　ｔｅｓｔｉｎｇ．Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｐｒｏｖｅ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　ｏｕｒ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｂａｓｉｃａｌｌｙ　ｒｅａｃｈｅｓ　ｔｈｅ　ｌｅｖｅｌ　ｏｆ　ｆｏｒｅｉｇｎ　ｐｒｏｄｕｃｔｓ　ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｓａｍｅ　ｐｅｒｉｏｄ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ＨｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ），ＨＯＴ，ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ，ｓｔａｎｄａｒｄ　１＂１一ｏｎ－ｐ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ＳＲＨ（Ｓｈｏｃｋｌｅｙ—Ｒｅａｄ．Ｈａｌ１）复合等）直接相关，并取　决于器件结构：标准ｎ—ｏｎ—Ｐ（汞空位掺杂）、ｎ—ｏｎ—Ｐ（非　本征掺杂）、Ｐ—ｏｎ—ｎ（非本征掺杂）、同质结、异质结　等。ＨＯＴ（ｈｉｇｈ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）工作带来的主　０　引言　降低成本、减小尺寸、提高性能是当前碲镉汞红　外探测器研究的推动因素。近十年来随着红外领域技　术的发展，欧美发达国家提出了一个新的概念ＳＷａＰ　（ｓｉｚｅ，ｗｅｉｇｈｔ　ａｎｄｐｏｗｅｒ），用于指代尺寸、重量和功耗。　而后又逐渐演变为ＳＷａＰ—Ｃ（ＳＷａＰ　ａｎｄ　ｃｏｓｔ）及ＳＷａＰ　（ＳＷａＰａｎｄｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，ｐｒｉｃｅ）［１－２］。　要问题是缺陷增多从而产生更大的低频噪声。因此研　制ＨＯＴ探测器需要有非常高质量的材料，同时还需　要掌握成熟的器件工艺技术（表面钝化、退火、刻蚀、　倒装互连等工艺）　Ｊ。　针对高性能探测器，在系统应用中引入ＳＷａＰ概　念可以在保持探测器现有性能或更好性能的前提下，　减小系统的尺寸、重量、功耗、价格并提高可靠性；　拓展其应用领域（例如应用于手持、瞄具、微型无人　１　欧美碲镉汞中波ＨＯＴ探测器的发展　ＨＯＴ探测器是欧美不同厂商不同技术路线共同　的目标，在红外领域扮演着越来越重要的角色，ＨＯＴ　探测器的优势如图ｌ所示。法国Ｓｏｆｒａｄｉｒ公司和美国　Ｔｅｌｅｄｙｎｅ公司采用的是Ｐ．ｏｎ．ｎ技术路线，其中Ｓｏｆｒａｄｉｒ　采用基于ＬＰＥ技术的Ａｓ注入平面结工艺，Ｔｅｌｅｄｙｎｅ　采用基于ＬＰＥ或ＭＢＥ技术的Ａｓ掺杂双层异质台面　结工艺。德国ＡＩＭ公司、英国Ｓｅｌｅｘ公司和美国ＤＲＳ　机等）。实现ＳＷａＰ的途径有：一是提高工作温度　（ＨＯＴ）；二是减小像元中心距（ｓｍａｌｌ　ｐｉｘｅｌ　ｐｉｔｃｈ），并　将两者有机地结合起来。　ＨＯＴ探测器的关键技术途径是降低暗电流。暗电　流与光电二极管的物理特性、掺杂、寿命（俄歇复合、　收稿日期：２０１６．０６．０２；修订日期：２０１６—０８—０５．　作者简介：周连军（１９７７一），男，研究员，主要研究方向为碲镉汞红外探测器技术。Ｅ—ｍａｉｌ：ｌｉａｎｊｕｎｚｈｏｕ１９７７＠１６３．ｃｏｒｎ。　１　ｌ６　第３９卷第２期　２０１７年２月　Ｖ＿０ｌ－３９　ＮＯ．２　周连军等：高温碲镉汞中波红外探测器的国内外进展　Ｆｅｂ．　２０ｌ７　公司采用的是ｎ—ｏｎ—Ｐ技术路线，其中ＡＩＭ采用基于　非本征Ａｕ掺杂ＬＰＥ技术的平面结工艺，Ｓｅｌｅｘ采用　基于非本征掺杂ＭＯＶＰＥ技术的异质台面结工艺，　ＤＲＳ采用基于非本征掺杂ＨＤＶＩＰ（ｈｉｇｈ　ｄｅｎｓｉｔｙ　ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）工艺。　…ｒ　ｉ￣搬０．２５Ｗ…。　￣ｏｏ４ｅｒ站…ｌｅｒ　Ｊｌ【　１１ＯＫ　Ｏ．５Ｗ￣００１１１＂　５Ｗｌ—∞’‘Ｊ　Ｒｅｌｌａｂｌｌｌｈｌ　图２　中波碲镉汞材料截止波长与工作温度的关系　Ｆｉｇ．２／ＶｌＸＶ　ＭＣＴ　ｃｕｔ－ｏｆｆ　ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ　ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ　ｗｉｔｈ　ＦＰＡ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　图Ｉ　高工作温度碲镉汞探测器　Ｆｉｇ．１　Ｈｉｇｈ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ＭＣＴ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　１）针对标准ｎ—ｏｎ—Ｐ工艺的技术改进　通过显著降低缺陷来减少ｌ／厂噪声进而大幅度增　加工作温度。减少缺陷来源主要是两点：非常高质量　的材料（碲锌镉衬底及外延碲镉汞薄膜材料）；各光　伏器件工艺步骤的精确优化。　２００９年Ｓｏｆｒａｄｉｒ公司发布的工艺优化后ＨＯＴ　Ｓｃｏｒｐｉｏ中波探测器产　，配接ＲＭ２旋转式斯特林　１．１法国Ｓｏｆｒａｄｉｒ公司　２００８年Ｓｏｆｒａｄｉｒ公司发布了像元中心距ｌ５／ａｍ，　基于标准ｎ—ｏｎ—Ｐ工艺的两款中波ＳＷａＰ产品【４Ｊ，如表　ｌ所示。　中波探测器截止波长与工作温度的关系如图２所　示。当工作温度为ｌ６０　Ｋ，而且光谱响应范围满足　３．７～４．８　ｐｍ时，探测器截止波长在８Ｏ　Ｋ时必须保证　达到５－３　ｐｍ。　制冷机，测试数据如图３所示。当工作温度为ｌ３０　Ｋ　时，截止波长（　）为５．０７　ｍ（８０Ｋ时，　为５－３　ｍ），　ＮＥＴＤ约为２０ｍＫ（５０％势阱填充），盲元率小于０．４％；　随着工作温度增加，暗电流将增大，ＮＥＴＤ显著下降：　当探测器工作温度为ｌ５０Ｋ（　＝４．２ｐｍ）时，ＮＥＴＤ　＜２５ｍＫ。　研究表明当工作温度超过ｌ００～ｌ１０Ｋ时，基于标　准ｎ—ｏｎ—Ｐ工艺的中波探测器ＮＥＴＤ性能开始下降。为　持续提升工作温度，由Ｓｏｆｒａｄｉｒ与ＣＥＡＪＬｅｔｉ共同组成　的ＤＥＦＩＲ联合实验室开展了相关的技术攻关工作，　主要如下述两方面：　表１　标准ｎ—ｏｎ—Ｐ工艺中波探测器性能Ｔａｂｌｅ　１　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆＭＷ　ＦＰＡ　ｆｏｒ　ｓｔａｎｄａｒｄ　ｎ—ｏｎ—Ｐ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ＬＥ０　ＭＷ　ＥＰＳＩＬ０Ｎ　ＭＷ　产品规格　光谱范闭　噪声等效温差　（ＮＥ　ｒＤ）　３８４×２８８　３．７～４．８／．ｔｍ　．　．，　＜２０ｍＫ（２０￣Ｃ，Ｆ／３，５０％势阱填充，１ｌ０Ｋ）＜０．６％（１１０Ｋ）　＜２Ｗ（２０℃，ｌ】０Ｋ）　＜３　ｍｉｎ３０　ｓｅｅ（２０℃）　６４０×５１２　３．７～４．８　ｐｍ　＜２０ｍＫ（Ｆ／５．５，２０℃，５０％势阱填充，ｌＪＯＫ）　＜０．５％（１１０Ｋ）　３．６Ｗ（２０℃，ｌｌ０Ｋ）　４～６ｍｉｎ（２０℃）　商元率　功耗　降温时问　探测器雨量　２６０ｇ　３７０ｇ　１ｌＣ一　＿　一　…片　～、　ｒ　ＩＤＤＣＡ（Ｋ５６２Ｓ）　ＩＤＤＣＡ（Ｋ５６３）和数字接口板　ｌｌ７　第３９卷第２期　２０１７年２月　红外技术　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｖｂ１．３９　ＮＯ．２　Ｆｅｂ．　２０ｌ７　６４０　ｘ　５１２　１５　ｐｍ　Ｘ１５‘Ｊｍ　ｈ、一　’、　’－－　＼　ＭＣＴ　ｎ－ｏｎ－ｐ（ＶＨｇ）　ＣＭＯＳ　Ｏ．３５　ｐｍ　５　Ｍｅ．　１２０　Ｈｚｍａｘｉ　ｕｓｉｎｇ４　ｏｕｔｐｕｔ　ａｔ　１０　ＭＨｚ．　２００　ｐＶ　柚　＇∞＇１０＇∞１∞１４０　１Ｓ０　１Ｍ　ｆ－－．－Ｔ酣ｍ■　＋　～－ｃＩ　　４　＋　ＮＥＴＤ　－ａ　５Ｏ‘。　ｌＩＩ　＼　一＇■　＇”＇一　＇■　’●　１Ｎ　１＇Ｈ啊ｑ　●　ｒｖｂｍ　・０啪－０■■ｄｄ■●　－幡｝　阳　ｆＩ—Ｔ∞．Ｉ１＇岫，ＨｍＴｖｈ　■・ｃ岬　州ｄ・ｈｄ－　＇　．．Ｅ　Ｉ　图３工艺优化后ＨＯＴ　Ｓｃｏｒｐｉｏ中波探测器　Ｆｉｇ．３　Ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ　ＨＯＴ　Ｓｃｏｒｐｉｏ　ＭＷ　ＩＤＤＣＡ　２）应用Ａｓ离子注入Ｐ．ｏｎ．ｎ工艺技术　与ｎ—ｏｎ—Ｐ工艺相比，Ｐ—ｏｎ—ｎ技术的优点在于暗电　２０１　１年Ｓｏｆｒａｄｉｒ公司发布的Ｐ．ｏｎ—ｎ　ＨＯＴ　Ｓｃｏｒｐｉｏ　流小。这就使高工作温度成为可能，而且ｎ型串联电　阻较低。通过之前的材料及器件工艺技术优化及控制　非本征Ｉｎ和Ａｓ掺杂水平，使得暗电流降低１个数量　级以上【ｏＪ，如图４所示。　中波探测器产品，配接Ｋ５６２Ｓ或ＲＭ１斯特林制冷　机，典型工作温度为１５０Ｋ，测试数据如图５【ｌ】所示。　当工作温度由８８Ｋ升高至ｌ５０Ｋ时，探测器性能基　本保持不变；当工作温度继续升高至ｌ６０　Ｋ时，　ＮＥＴＤ下降小于２０％。当工作温度由８８　Ｋ升高至　１３０Ｋ时，ＮＥＴＤ保持稳定在１１．８ｍＫ以下；直到工　作温度为１５０Ｋ时，ＮＥＴＤ为１３．２ｍＫ；而且功耗相　较于８８　Ｋ下降６０％。　芑墨　●ｃ　ｔ－　１．２美国Ｔｅｌｅｄｙｎｅ公司　２００８年２月Ｔｅｌｅｄｙｎｅ公司为加强红外领域的生　产能力及产品的覆盖范围，并购了Ｊｕｄｓｏｎ　Ｔｅｃｈｎｏ—　暑言　ｊ　言耄　ｍ　曩Ｉ｝ｑ墓ｄｏ蚍。　Ｉ　Ｅ　３　ｌｏｇｉｅｓ成立了Ｔｅｌｅｄｙｎｅ　Ｊｕｄｓｏｎ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ【，ｊ。Ｊｕｄｓｏｎ　１．￣－－３　Ｉ．４Ｅ－３　１．６ＥＩ３　１．８Ｅ－３　２．ＯＥ－３　公司制备的ＨＯＴ中波３２０×２４０（３０　ｕｍ）探测器采用　在碲锌镉衬底上ＬＰＥ生长ｐ＋－ｏｎ—ｎ异质结技术（器件　结构剖面图如图６所示）；配接２～４级热电制冷器　１Ｉ　ｘ　ＴＦＭ　图４中波探测器暗电流比较　ｐ－ｏｎ－ｎ　ｄａｒｋ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｆｏｒ　ＭＷ　ＦＰＡｓ　Ｆｉｇ．４　ｎ－Ｏｎ—Ｐ　ａｎｄ　（ＴＥＣ），对应工作温度分别为一４０℃（２３３　Ｋ）、－－６５℃　（２０８Ｋ）、－－８０℃（１９３Ｋ）；性能测试结果如图７、图　８所示　Ｊ。　Ｓ　Ｂｌ　ｌ　２８ｍＫ　Ｏｐｅ［ａｂｉｌ¨ｖ．０９　９　。　ｊ　Ｌ　Ｓｉｇｎｍ　Ｉ　３３ｍＫ　０１）ｅｒ小ＩｌＩ　９９　８２＊。　ｊ　Ｌ　Ｓｌｇｔ　　７２ｍＫ　Ｉｊ　Ｌ　图５　ｐ－ｏｎ—ｎ　ＨＯＴ　Ｓｃｏｒｐｉｏ中波探测器ＮＥＴＤ随工作温度变化曲线　Ｆｉｇ．５　ＮＥＴＤ　ｖｅｒｓｕｓ　ＦＰＡ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｆｏｒ　Ｐ—ｏｎ—ｎ　ＨＯＴ　Ｓｃｏｒｐｉｏ　ＭＷ　ＩＤＤＣＡ　１Ｊ８　第３９卷第２期　２０１７年２月　ｕｃ０　￡山Ｅ暑ｃ晤：ａ　ＶｂｌＩ３９　Ｎｏ．２　Ｆｅｂ．　２０ｌ７　周连军等：高温碲镉汞中波红外探测器的国内外进展　■■■■■■■■＿图６　ｐ　一ｏｎ—ｎ异质结构焦平面剖面图　　Ｍ　Ｆｉｇ．６　Ｃｒｏｓｓ—ｓｅｃｔｉｏｎ　ｏｆｐ＋－ｏｎ—ｎ　ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ＦＰＡ　Ｍｅａ　１　５１．３６　ｍＫ　５ｔｄ　Ｄｅｖ　ｌ１．０４　ｍＫ　ｏｎ—Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ　２１．４９　１％　Ｈｅｄｉａｎ　一…　２　一ｍＫ　‘　．－ａＸ　ｍＵｍ　９９．９９　ｍＫ　１　０　１　４　１　８　２　２　２６　３０　３４　３　８　４　２　４．６　５０　５　４　５，８　Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ（ｐｍ）　图７测试结构在零下６５￣Ｃ和零下４０￣Ｃ无抗反射膜层时的　光谱响应　Ｆｉｇ．７　Ｓｐｅｃｔｒａｌ　ＱＥ　ＶＳ．ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ　ｍｅａｓｕｒｅｄ　ｆｏｒ　ｔｅｓｔ　ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ　ｗｉｔｈｏｕｔ　ＡＲ　ｃｏａｔｉｎｇ　ａｔ一６５℃ａｎｄ一４０℃　１．３德国ＡＩＭ公司　德国ＡＩＭ公司的中波碲镉汞探测器技术（包含　ＨＯＴ）发展历程如表２所示。　表２　ＡＪＭ公司中波碲镉汞探测器技术（包含ＨＯＴ）发展历程　Ｔａｂｌｅ　２　Ｏｖｅｒｖｉｅｗ　ｏｖｅｒ　ＭＣＴ　ＭＷＩＲ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　ａｔ　ＡＩＭ　ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ　ＨＯＴ　ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｓ　Ｉ　ｌ　ｌ　Ｉ　Ｉ　Ｉ　）　２０　４０　Ｈ　６０　８０　１∞　探测器技术　标准工艺　工艺技术特征　工作温度　典型值８０Ｋ　图８零下７０￣Ｃ工作温度下实验室演示成像及ＮＥＴＤ直方图　Ｆｉｇ．８　Ｔｅｓｔ　ｒｅｓｕｌｔｓ（Ｌａｂ　ｉｍａｇｅ　ｐｈｏｔｏ　ａｎｄ　ＮＥＴＤ　ｈｉｓｔｏｇｒａｍ）ａｔ　ｎ—ｏｎ—Ｐ（汞空位掺杂）技术　７０￣Ｃ（２０３　Ｋ）　优化的标准　ｎ—ｏｎ—Ｐ（汞空位掺杂）技术，并　典型值９５Ｋ，　工艺　进行优化（如提高一致性、衬底　高至１２０Ｋ　质量等）　１代Ｈ０Ｔ　ｎ—ｏｎ－Ｐ（非本征Ａｕ掺杂），掺杂　高至１４０Ｋ　浓度在１×１０。　～４×１０　ｃｍ一　之　采用３种不同工艺技术（优化的标准工艺、１代　ＨＯＴ及２代ＨＯＴ）中波探测器（规格：６４０×５ｌ２；　像元中心距：１５　ｕｍ；Ｆ／３．５；５０％势阱填充；３００　Ｋ；　＝＝＝５．２　ｐ．ｍ±０．１“ｍ，８０Ｋ）ＮＥＴＤ随工作温度变化的　曲线如图９［９１所示。　间；标准钝化工艺　ＡＩＭ公司不同技术阶段典型中波碲镉汞产品（如　表３所示）以及中波ＨＯＴ　６４０×５１２、１２８０×ｌ０２４探　测器成像演示（如图１０所示）［１０－１４ｌ。　２代ＨＯＴ　ｎ—ｏｎ—Ｐ（非本征Ａｕ掺杂），掺杂　高至１６０Ｋ　浓度小于１×１０　ｃｍ　（（４～　６）Ｘ　１０　ｃｍ一　）；优化的钝化工艺　ｌｌ９　第３９卷第２期　２０１７年２月　红外技术　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　、，ｏｌ－３９　ＮＯ．２　Ｆｅｂ．　２０１７　∞　’ｏ　∞　”　．蔓柚．　１　Ｉ。　∞＿　ＢＵＰ　＂　。　ｍ　ｎＯ　ｌ∞　Ｉ∞　Ｉ柚　Ｉ拍　Ｏ　婀一ＩＩ　协ｍ—・・ｔ＿．件眯ｌ　图９三种不同技术中波探测器ＮＥＴＤ随工作温度变化的曲线　Ｆｉｇ．９　ＮＥＴＤ　ａｓ　ａ　ｆｕｎｃｔｉｏｎ　ｏｆｔｈｅ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｆｏｒ　ＭＷ　ＦＰＡｓ　ｆｒｏｍ　ｔｈｒｅｅ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　椭　撕　表３　ＡＩＭ公司典型中波产品Ｔａｂｌｅ　３　Ｔｙｐｉｃａｌ　ＭＷ　ＦＰＡｓ　ａｔ　ＡＩＭ　『ｆ１波１　２８０×１０２４探删器　１　５　ｕｎ１　３．４～５　ｕｎ１　Ｉ６０　Ｋ　ＳＸ０２（）　中波６４０×５１２探测　像厄　｛１．５，ｂ￣ｉ　尤、　响ｆ、　范　ｉ　作濉度　９５　Ｋ　ＳＸ０９５　１５　ｕｍ　３．４～５　ｕｍ　Ｉ２０Ｋ　ＳＸ０４０　１４０Ｋ　ＳＸ０３０　１２０　Ｋ　ＳＸ０４０　分置式线性　制冷机　制冷机　制冷机ＭＴＴＦ　，　发４ｉｉＨ，￣问　＜１　ｋｇ　＞ｌ５０００ｈ　２０１０证　＜７００ｇ　＞２５０００ｈ　２０１　１钲　２８０ｇ　＞２５０００ｈ　２０１２　４ｔ　１５８　ｇ　＞３００００　ｈ　２０１４“ｉ　＜７００ｇ　＞２５０００ｈ　２０１　２臼ｉ　１ＤＤＣＡ　曼　Ｉｌ　＿　－　－　　＾　氇Ｉ　啊‘．＿▲　　蹙●■＿一　　＿自　。　＿Ｃ　ｌ　。　。　■ｒ’■－一　＿　●　１　柚　ｍ　＇鞠　ｉ　∞Ｏ　Ⅷ　Ｃａ）　（ｂ）　图ｌＯ成像演示（ａ）中波６４０×５１２，１４０Ｋ；（ｂ）中波１２８０Ｘ　１０２４，１２０Ｋ　Ｆｉｇ．１０　ＩＲ—ｉｍａｇｅ　ｔａｋｅｎ　ｗｉｔｈ（ａ）ＭＣＴ　６４０￣５１２，ＭＷＩＲ　ｍｏｄｕｌｅ　ａｔ　１４０Ｋ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　（ｂ）ＭＣＴ　１　２８０　Ｘ　１　０２４，ＭＷＩＲ　ｍｏｄｕｌｅ　ａｔ　１　２０　Ｋ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｌ２０　第３９卷第２期　Ｖｂｌ＿３９　ＮＯ．２　２０１７年２月　周连军等：高温碲镉汞中波红外探测器的国内外进展　Ｆｅｂ．　２０ｌ７　１．４英国Ｓｅｌｅｘ公司　带重掺杂Ｐ型公共层（导电层），轻掺杂Ｐ型吸收层，　ｎ型覆盖层。台面刻蚀至公共层，防止电串及光串；Ｐ　Ｓｅｌｅｘ的器件结构是基于ＭＯＶＰＥ技术的多层　异质台面结构，如图１１Ｉ　】所示。早期发布的中波　型为Ａｓ掺杂，ｎ型为Ｉ掺杂；吸收层的尺寸、掺杂浓　度及缺陷等因素决定了暗电流的大小。　Ｅａｇｌｅ探测器（规格：６４０×５ｌ２；像元中心距：２４　Ｆｔｍ；ＮＥＴＤ：１０～１４　ｍＫ；盲元低至０．１％；截止　波长４．３　ｐｍ，工作温度可达１８０　Ｋ），材料生长是　基于ＧａＡｓ／Ｓｉ衬底（较厚的硅基衬底外薄层砷化　镓），主要是折衷解决互连时读出电路与器件芯片　的热失配：而后材料生长基于ＧａＡｓ衬底，器件　芯片制备完成后完全去除衬底，消除热失配对器　件性能的影响【Ｊ川。　２０１０年Ｓｅｌｅｘ对标准　ｒ艺生产的中波Ｈａｗｋ探测　器（规格：６４０×５１２；像元中心距：１６　ｕｍ；低温滤　光片３．７～４．９５　ｇｍ；Ｆ／４；配接Ｔｈａｌｅｓ公司ＲＭ２制冷　机；ＮＥＴＤ＝１６　ｍＫ，８０　Ｋ；盲元率小于０．１％；　＝　５．５　ｇｍ，８０　Ｋ）进行了ＨＯＴ测试，结果如图ｌ２～ｌ３　所示。当　Ｌ作温度为１５０Ｋ时，降温时间及稳态功耗　相比８０Ｋ分别下降４Ｏ％和５５％，１８５Ｋ时ＮＥＴＤ约是　１５０～１６０　Ｋ的２倍［１７］。　多层异质台面结构包括：紧挨着衬底缓冲层的宽　Ｉｎｄｉｕｍ　ｂｕｍｐ　……Ⅻ　一　图１　Ｉ　多　异质台　结构　Ｆｉｇ．１　１　Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｌａ］ｅｓａ　ｄｉｏｄｅ　Ｈａｗｋ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｃｏｏｌｅｄ　ｕｗｎｇ　Ｔｈａｌｅｓ　ＲＭ２　ｅｎｇｉｎｅ　ｔ０Ｇ５ｅ２８・２●　ｌ　｝　…＿＿＿Ｐ一！＝ｌｒ　■ｒ　１＿　ｉ　【　ｌ　‘Ｉ＝＝１　。Ｉ　●　一。ｉｉ　｛ｌ　Ｉ　ｌＩ　、｛　～～‘　５　１３５　１５５　１７５　Ｉ！　１９５　ｉ●Ｈ　Ｉ　７５　＿　ｉ　Ｉ　１＇５　１３§　１５５　Ｏｌ￣ｒａｔｌｎｇ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｋ　９５　Ｏｐｅｒｌｔｉｎｇ　ｔｅｍｐ＠ｒａｔｕｃｅ　Ｋ　圈１２室温环境Ｆ　Ｈａｗｋ探测器性能　Ｆｉｇ．１　２　Ｈａｗｋ　ＩＤＤＣＡ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｉｎ　ｒｏｏｍ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ａｍｂｉｅｎｔ　ｃｉｒｃｕｍｓｔａｎｃｅ　ｆｂ１１９０Ｋ　图１３不ｉ叫】：作温度卜Ｈａｗｋ热像　Ｆｉｇ．１３　ＨａｗｋＩＲ—ｉｍａｇｅｔａｋｅｎ　ａｔ（ａ）Ｉ６０Ｋ（ｂ）１９０Ｋ（ｃ）２１０Ｋ　１２ｌ　第３９卷第２期　２０１７年２月　红外技术　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｖｌ０ｌ＿３９　ＮＯ．２　Ｆｅｂ．　２０１７　１．５美国ＤＲＳ公司　ＨＤＶＩＰ技术是基于早期环孔器件的原理发展起　声缺陷率小于Ｏ．０５％）（如图ｌ６所示）［２１－２２］。　来的，最大特点是不需要使用铟柱互连技术来制备器　件。原理图如图１４所示，器件的吸收层为Ｐ型材料，　ｎ　区利用了刻蚀开孑Ｌ时在四壁形成的反型层，和　ｎ—ｏｎ—Ｐ平面结一样，低温热处理也被用于形成ｎ　一ｎ一　Ｐ结。该结构具有的优点包括：器件采用了双面ＣｄＴｅ　钝化技术（在碲镉汞材料的上下表面分别沉积ＣｄＴｅ　膜层），然后通过热处理工艺使碲镉汞上下表面与　Ａｕｇｏｒ７　Ａｕｇｅｒ１　ＳＲＨ　Ｔｏｔａｌ　ＣｄＴｅ钝化层形成组分互扩散层，使得１／厂噪声大幅降　低；其ｐｎ结垂直于外延材料表面，外延中形成的穿　越位错与ｐｎ结的界面接**行，穿越ｐｎ结的位错密　度大幅降低，减小了器件暗电流；器件为侧向入射式　器件，填充因子较大，有利于量子效率的提高【Ｉ　。　ＤＲＳ采用富Ｔｅ液相外延技术，Ｐ型非本征掺杂为　Ｃｕ、Ａｕ或者Ａｓ，掺杂浓度为小于５×１０　ｃｍ～，低背　∞　∞　∞　ｊＥ　Ｅ　Ｅ　Ｅ　Ｅ　Ｅ　＋　＋　Ｉｎ　苫　匕：Ｕ芒心ａ　＋　　ｊ＋　们　∞　＋　＋　　景ｎ型为Ｉｎ掺杂，Ｉｎ的浓度在１．５～５×１０Ｍｃｍ　【　ｊ。　ｊ　ｊ　（ａ）标准铜掺杂　ＮＥｕ　ｒｆ‘ｌＩ－，｜Ｊ：Ｕ　．｜再Ｄ　Ｅ　４　Ｏ　＋　Ａｕｇｅｒ７　Ａｕｇｅｒ１　ＳＲＨ　Ｔ　ｏｔａＩ　Ｅ　＋　Ｅ　３　Ｏ　＋　Ｅ　２　Ｏ　＋　Ｅ　０　１　＋　Ｅ　Ｏ　＋　５　０　（ｂ）ＨＤＶＩＰ高温器件　图１５　ＨＤＶＩＰ中波器件２５３Ｋ暗电流模型　Ｆｉｇ．１　５　Ｍｏｄｅｌｅｄ　ＨＤＶＩＰ　ＭＷｌＲ　ｄａｒｋ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ　ａｔ　２５３Ｋ　ｆｏｒ（ａ）ｔｈｅ　ｓｔａｎｄａｒｄ　ｃｏｐｐｅｒ　ｄｏｐｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｆｂ）ｔｈｅ　ＨＤＶＩＰ　ＨＯＴ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　Ｔｏｐ　ｖＩｉｉｗ　Ｈ０　Ｗ　（ａ）常规ｎ　一ｎ－ｐ　结构　（ｂ）ＨＯＴ　ｎ＋－ｐ结构　图１４　ＤＲＳＨＤＶＩＰ结构　Ｆｉｇ．１　４　ＤＲＳ　ＨＤＶＩＰ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　图１６　ＤＲＳＨＯＴＭｗ　６４０￣４８０（１２ｕｍ）探测器和１２８０￣７２０　ＤＲＳ公司的ＨＤＶＩＰ　ＨＯＴ器件采用ｎ＋－ｐ结构，　在２５０　Ｋ工作温度下截止波长为５　ｋｔｍ的中波器件，　暗电流密度低至２．５　ｍｍ／ｃｍ　，少子寿命超过３００　ｉｔｓＩ　们。　ＨＤＶＩＰ器件常规工艺中暗电流机制主要包括ＳＲＨ、　俄歇ｌ、俄歇７（如图ｌ５所示）。为减少各种机制的　影响，相对应的工艺改进方法如下：通过对干法刻蚀、　（１２ｌａｍ、５　ｕｍ）晶片　Ｆｉｇ．１６　ＤＲＳ　ＨＯＴ　ＭＷ　６４０￣４８０（１２　ｕｍ）ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ａｎｄ　１２８０×７２０（１２　ｍ，５　ｍ）ｗａｆｅｒ　２　昆明物理研究所碲镉汞中波探测器的发展　昆明物理研究所从２００６年开始进行碲镉汞中波　焦平面探测器研制，经过４年的技术攻关，到２０１０　年实现碲镉汞中波３２０×２５６红外焦平面探测器组件　退火等工艺的优化最小化汞空位；尽可能消除ｎ一区；　尽可能降低Ｐ型非本征掺杂浓度。　ＤＲＳ公司已经生产了大量的像元尺寸为１２岬的　ＨＯＴ中波探测器（规格６４０×４８０或１２８０×７２０；　＝５～５．６　ｍ，７７　Ｋ；读出电路电荷处理能力７．７　Ｍｅ一；　批量生产，２０１３年己达年产数百套组件的水平１　］。通　过持续推进碲镉汞材料非本征掺杂的研究及器件工　艺中表面钝化、干法刻蚀等工艺的改进：陆续发布了　６４０×５１２（１５　ｋｔｍ、２０　ｍ、２５　ｍ）及１２８０×１０２４（１５　工作温度ｌ２０～ｌ６０　Ｋ），２０１２年又发布了像元尺寸为　５　ｌａｍ的中波１２８０×７２０探测器（工作温度１２０Ｋ，噪　ｌ　２２　第３９卷第２期　２０１７年２月　Ｖｂ１．３９　Ｎｏ．２　周连军等：高温碲镉汞中波红外探测器的国内外进展　Ｆｅｂ．　２０１７　ｕｍ）等规格的碲镉汞中波焦平面探测器组件（模拟／　数字化）产品【２　引。　。　２０１５年底，我们对一支标准ｎ—ｏｎ—Ｐ（汞空位）中　波６４０×５１２探测器（像元中心距：１５　ｍ；　＝５．２±　０．１　ｐｍ，８０　Ｋ；低温滤光片３．７～４．８５　ｋｔｍ；Ｆ／４；５０％　势阱填充；读出电路电荷处理能力６．８　Ｍｅ一，ＩＴＲ工　作模式；配接ＳＣ１０４Ｒ型斯特林制冷机；背景环境温　度２９３Ｋ；盲元判定标准：　±３０％、　±３０％、２　）　进行了ＨＯＴ测试，测试结果如图１７所示。　结果显示当工作温度由８０　Ｋ变化至１１０　Ｋ时，　ＮＥＴＤ由ｌ７．４ｍＫ变化至１９．７ｍＫ，保持在２０ｍＫ以　下，有效像元率由９９．８７％下降至９９．３３％，国产中波　探测器性能基本达到同期国际水平；当工作温度继续　升高至１２０Ｋ时，响应信号随着暗电流的增大下降约　２０％，而且１／厂噪声显著增加，ＮＥＴＤ为３４．４　ｍＫ，比　８０　Ｋ时增大约一倍。此外我们对盲元的组成进行细　分，发现随着工作温度的升高，基于响应率及噪声的　盲元明显增加，在工艺一致性上与国际先进水平相比　还存在提升的空间。　图１７室温环境下中波探测器性能　Ｆｉｇ．１　７　ＭＷ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｉｎ　ｒｏｏｍ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ａｍｂｉｅｎｔ　ｃｉｒｃｕｍｓｔａｎｃｅ　３结论　ＨＯＴ探测器逐渐成为制冷探测器的发展趋势之　一。文章归纳总结了红外领域的国外主流厂商在碲镉　汞中波ＨＯＴ探测器上的工艺技术路线以及典型产品　的技术指标，最后介绍了昆明物理研究所的中波探测　器研制进展。昆明物理研究所基于标准ｎ．ｏｎ－ｐ工艺研　制了中波探测器并进行了ＨＯＴ测试，测试结果显示　当探测器工作温度升高至１１０Ｋ时，性能指标基本达　到国外同类探测器产品水平。当温度升高至１１０Ｋ以　上时，我所研制的中波探测器的性能与国外同类探测　器相比存在一定的技术差距，需要进行更多的技术攻　关才能提高探测器工作温度并保持性能基本稳定。　致谢　笔者由衷地感谢红外探测器中心制冷部唐天敏　及电子与系统部各位同仁在探测器组件测试过程中　付出的辛勤努力和卓有成效的工作。　参考文献：　［１］Ａｌａｉｎ　Ｍ，Ｌａｕｒｅｎｔ　Ｙａｎｎ　Ｒ，ｅｔ　ａ１．Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ＩＲ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ｔｏ　ｓｗａｐ　ｈｅａｖｙ　ｓｙｓｔｅｍｓ　ｆｏｒ　ＳＷａＰ［Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆＳＰ１Ｅ，２０１２，８３５３：８３５３３４．　［２］Ｌｕｔｚ　Ｈ，Ｂｒｅｉｔｅｒ　Ｒ，Ｆｉｇｇｅｍｅｉｅｒ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｈｉｇｈ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ＭＣＴ　ＭＷＩＲ　ｍｏｄｕｌｅｓ［Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ＳＰＩＥ，２０１４，９０７０：　９０７０１Ｄ．　【３］　Ｇ６ｒａｒｄ　Ｄ，Ｐｈｉｌｉｐｐｅ　Ｔ，Ｍｉｃｈｅｌ　Ｖ，ｅｔ　ａ１．ＭＣＴ　ＩＲ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ｉｎ　Ｆｒａｎｃｅ　［Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆＳＰＩＥ，２０１１，８０１２：８０１２３５．　［４］Ｄａｖｉｄ　Ｂ　Ｌ，Ｐｈｉｌｉｐｐｅ　Ｔ，Ｆｒ＆１６ｆｉｅ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．Ｎｅｗ　ＩＲ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ｗｉｔｈ　ｓｍａｌｌ　ｐｉｘｅｌ　ｐｉｔｃｈ　ａｎｄ　ｈｉｇｈ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ［Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ＳＰＩＥ，２０１０，　７８５４：７８５４０Ｍ．　［５】ＭｉｃｈｅｌＶ，ＬａｕｒｅｎｔＲ，ＦａｂｉｅｎＣ，ｅｔ　ａ１．ＨＯＴｉｎｆｒａｒｅｄｄ￣ｔｏｒｓ　ｕｓｉｎｇＭＣＴ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ［Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆＳＰＩＥ，２０１　１，８０１２：８０１２２Ｗ．　［６】Ｒｅｉｂｅｌ　Ｙ，Ｒｏｕ￣ｅ　Ａ，Ｎｅｄｅｌｃｕ　Ａ，ｅｔ　ａ１．Ｌａｒｇｅ　ｏｆｒｍａｔ，ｓｍａｌｌ　ｐｉｘｅｌ　ｐｉｔｃｈ　ａｎｄ　ｈｏｔｄｅｔｅｃｔｏｒｓａｔＳＯＦＲＡＤＩＲ［Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆＳＰＩＥ，２０１３，８８９６：８８９６０Ｂ．　［７】Ｊａｍｅｓ　Ｗ　Ｂ，Ｒｉｃｈａｒｄ　Ｂ，Ｄａｖｉｄ　Ｇ，ｅｔ　ａ１．Ｔｅｌｄｅｙｎｅ　ｉｍａｇｉｎｇ　ｓｅｎｓｏｒｓ：　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｉｍａｇｉｎｇ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　ｆｏｒ　ａｓｔｒｏｎｏｍｙ＆ｃｉｖｉｌ　ｓｐａｅｅ［Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ＳＰＩＥ，２００８．７０２１：７０２１０Ｈ．　【８】Ｈｅｎｒｙ　Ｙ，Ｇａｒｙ　Ａ，Ｊｏｎｇｗｏｏ　Ｋ　ｅｔ　ａ１．ＦＰＡ　ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ：ｆｒｏｍ　ＩｎＧａＡｓ，　ＩｎＳｂ，ｔｏＨｇＣｄＴｅ【Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆＳＰＩＥ，２００８，６９４０：６９４０３Ｃ．　【９】Ｌｕｔｚ　Ｈ，Ｂｒｅｉｔｅｒ　Ｒ’Ｆｉｇｇｅｍｅｉｅｒ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｈｉｇｈ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ＭＣＴ　ＭＷＩＲ　ｍｏｄｕｌｅｓ［Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ＳＰ１Ｅ，２０１４，９０７０：　９０７０１Ｄ．　［１０】Ｌｕｔｚ　Ｈ，Ｂｒｅｉｔｒｅ＆Ｅｉｃｈ　Ｄ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ　ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ＩＲ－ｍｏｄｕｌｅｓ　ｗｉｔｈ　ｓｍａｌｌ　ｐｉｔｃｈ　ｆｏｒ　ＳＷａＰ　ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ　ｎａｄ　ｈｉｇ１１　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　【Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆＳＰＩＥ，２０１１，８１８５：８１８５０４．　【１１】Ｒｉｌｆｌｆｉｃｈ　Ｉ，Ｍａｉ　Ｍ，Ｗｉｔｈｏｐｆ　Ａ，ｅｔ　ａ１．ＡＩＭ　ｃｒｙｏｃｏｏｌｒｅ　ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓ　ｆｏｒ　ＨＯＴ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ［Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆＳＰ１Ｅ，２０１４，９０７０：９０７０２Ｐ．　［１２］Ｂｒｅｉｔｅｒ　Ｒ，ｌｈｌｅ　Ｔ，Ｗｅｎｄｌｅｒ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｎｅｘｔ　ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　ｃｏｏｌｅｄ　ｌｏｎｇ　ｒａｎｇｅ　ｔｈｅｒｍａｌ　ｓｉｇｈｔｓ　ｗｉｔｈ　ｍｉｎｉｍｕｍ　ｓｉｚｅ，ｗｅｉｇｈｔ　ｎａｄ　ｐｏｗｅｒ［Ｃ］／／Ｐｒｏｃ．ｏｆＳＰＩＥ，　１２３　第３９卷第２期　２０１７年２月　红外技术　ＩｎｆｒａｒｅｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　、，ｏｌ－３９　ＮＯ．２　Ｆｅｂ．　２Ｏ１７　（上接第ｌｌ５页）　【５４］　王超哲，童中翔，芦艳龙，等飞机红外辐射特性及其探测技术研　［５７］李慎波，童中翔，王超哲，等．飞机机体红外辐射特性研究【ＪＪ激　光与红外，２０１４，４４（７）：７３９—７４４　ＬＩ　Ｓｈｅｎｂｏ，ＴＯＮＧ　Ｚｈｏｎｇｘｉｎｇ，ＷＡＮＧ　Ｃｈａｏｚｈｅ，ｅｔａ　ａｌ　Ｓｔｕｄｙ　ｏｎ　ｔｈｅ　究［Ｊ］．激光与红外，２０１１，４１（９）：１９９７—１００１．　ＷＡＮＧ　Ｃｈａｏｚｈｅ，ＴＯＮＧ　Ｚｈｏｎｇｘｉａｎｇ，ＬＵ　Ｙａｎｌｏｎｇ，ｅｔ　ａ１．Ｓｔｕｄｙ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｒａｄｉａｔｉｏｎ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ａｉｒｃｒａｆｔ　ａｉｒｆｒａｍｅ［Ｊ］．Ｌａｓｅｒ＆　Ｉｎｒａｒｅｄ，２０１４，４４（７）：７３９—ｆ７４４　ａｉｒｐｌａｎｅ’ｓ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｒａｄｉａｔｉｏｎ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｉｔｃｓ［Ｊ］．Ｌａｓｅｒ＆Ｉｎｆｒａｒｅｄ，２０１　１．　４１（９）：１９９７—１００１．　【５８］　黄伟，吉洪湖．蒙皮反射的背景辐射对亚声速飞机红外特征的影　响研究（一）：方法［Ｊ］ｌ红外与激光工程，２０１５，４４（６）：１６９９．１７０３．　ＨＵＡＮＧ　Ｗｅｉ，ＪＩ　Ｈｏｎｇｈｕ．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｒｅｆｌｅｃｔｅｄ　ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ　ｒａｄｉａｔｉｏｎ　ｂｙ　［５５］林杰，江勇，方浩百，等．飞机整机蒙皮自身红外辐射特性建模与　分析［耳红外技术，２０１２，３４（５）：２８６－２９１．　Ｌ１Ｎ　Ｊｉｅ，ＪＩＡＮＧ　Ｙｏｎｇ，ＦＡＮＧ　Ｈａｏｂａｉ，ｅｔ　ａ１．Ｍｏｄｅｌｉｎｇ　ａｎｄ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｎ　ｓｋｉｎ　ｏｎ　ｍｆｒｒａｅｄ　ｓｉｇｎａｔｕｒｅ　ｏｆ　ｓｕｂｓｏｎｉｃ　ａｉｒｃｒａｆｔ（Ｉ）：ｍｅｔｈｏｄｏｌｏｇｙ［Ｊ］．　ｓｅｌｆ－ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｒａｄｉａｄ０ｎ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｗｈｏｌｅ　ａｉｒｃｒａｆｔ　ｓｋｉｎ［Ｊ］．　ＩｎｒａｒｆｅｄａｎｄｌａｓｅｒＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０１５，４４（６）：１６９９—１７０３．　［５９］ｕ　Ｎｉ，ＬＶ　Ｚｈｅｎｈｕａ，ＷＡＮＧ　Ｓｈａｏｄａｎ．Ａ　ｒｅａｌ—ｔｉｍｅ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｒａｄｉａｔｉｏｎ　ｉｍａｇｉｎｇ　ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ　ｏｆ　ａｉｒｃｒａｆｔ　ｓｋｉｎ　ｗｉｈ　ａｅｒｏｄｙｎａｔｍｉｃ　ｈｅａｔｉｎｇ　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１２，３４（５）：２８６－２９１．　［５６］徐顶国，桑建华，罗明东．无人机蒙皮红外辐射特征研究［Ｊ】．红外　与激光工程，２０１３，４２（４）：８８０—８８４．　ＸＵ　Ｄｉｎｇｇｕｏ，ＳＡＮＧ　Ｊｉａｎｈｕａ，ＬＵＯ　Ｍｉｎｇｄｏｎ．Ｓｔｕｄｙ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｅｆｆｅｃｔ［Ｊ］ＩｎｆｒａｒｅｄＰｈｙｓｉｃｓ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１５，７１：５３３—５４１．　［６０］ＨＵＡＮＧ　Ｗｅｉ，ＪＩ　Ｈｏｎｇｈｕ．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ　ｒａｄｉａｔｉｏｎ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｌｏｎｇ－ｗａｖｅ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｓｉｇｎａｔｕｒｅ　ｏｆ　ｃｒｕｉｓｅ　ａｉｒｃｒａｆｔ［Ｊ］．Ａｅｒｏｓｐａｃｅ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１６，５６：１２５—１３４．　ｒａｄｉａｔｉｏｎ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　Ｏｆ　ＵＡＶＳ　ｓｋｉｎ［Ｊ］．Ｉｎｒａｒｅｄ　ａｎｄ　Ｌａｓｅｒ　ｆＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０１３，４２（４）：８８０—８８４．　１２４