沟槽外延的填充方法

（12）发明专利说明

（21）申请号 CN201711075656.X （22）申请日 2017.11.06

（71）申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

（10）申请公布号 CN107919271B

（43）申请公布日 2020.04.14

书

（72）发明人 孔蔚然;季伟;伍洲

（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司

代理人 郭四华

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

沟槽外延的填充方法

（57）摘要

本发明公开了一种沟槽外延的填充方法，

包括步骤：形成由第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层叠加形成的硬质掩模层；进行第一次全面离子注入以破坏第三氧化层的分子键；光刻定义出沟槽的形成区域；去除沟槽的形成区域中的硬质掩模层；对半导体衬底进行刻蚀形成沟槽；进行第一次湿法刻蚀工艺以去除第三氧化层；形成牺牲氧化层；进行第二次全面离子注入以破坏牺牲氧化层的分子键；进行第二次湿法刻蚀工艺

以去除牺牲氧化层；去除第二氮化层；进行外延生长形成沟槽外延层填充所述沟槽。本发明能减少第一氧化层被横向刻蚀的量，能防止或减少相邻沟槽中外延层延伸到沟槽外并产生合并，从而能消除或减少应力以及避免产生的位错，提高器件的性能。

法律状态

法律状态公告日2018-04-17 2018-04-17 2018-04-17 2018-05-11 2018-05-11 2020-04-14

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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