一种金属硬掩膜及其制作和使用方法[发明专利]
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专利名称：一种金属硬掩膜及其制作和使用方法专利类型：发明专利发明人：刘庆鹏
申请号：CN201910862501.3申请日：20190912公开号：CN110620037A公开日：20191227
摘要：本发明提供一种金属硬掩膜及其制作和使用方法，将氮化钛和氮化钽按质量比为1:2至1:3混合；利用反应磁控溅射方法将混合后的所述氮化钛和氮化钽进行调制；调制成膜厚为100埃至200埃的金属硬掩膜。本发明通过调制制作含有氮化钛和氮化钽的金属硬掩膜，使用其作为新的刻蚀硬掩膜材料，代替传统氮化钛薄膜，可以降低刻蚀时使用的掩膜层厚度，提高金属硬掩膜的硬度和均匀度，在相同光阻厚度条件下变相增加刻蚀空间，增加工艺窗口宽度，提高产品的良率。
申请人：上海华力集成电路制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：戴广志
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