MEMS器件的制作方法[发明专利]
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专利名称：MEMS器件的制作方法专利类型：发明专利发明人：张振兴,奚裴,熊磊申请号：CN201510187497.7申请日：20150417公开号：CN104909334A公开日：20150916
摘要：本发明揭示了一种MEMS器件的制作方法。该方法包括：提供前端结构，所述前端结构包括衬底，依次形成于所述衬底上的AMR层和氮化钽层；在所述前端结构上形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层；刻蚀所述第二阻挡层形成第一凹槽，暴露出第一阻挡层；刻蚀所述暴露出的第一阻挡层的部分厚度形成第二凹槽。本发明中由于第一阻挡层的存在，使得氮化钽层获得了保护，避免了刻蚀过程对氮化钽层的侵蚀，也避免了光阻与氮化钽层发生反应，提高了获得的MEMS器件的性能。
申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：郑玮
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