衬底结构及其制造方法[发明专利]
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专利名称：衬底结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：陈建桦,李德章,谢盛祺申请号：CN201410287674.4申请日：20140624公开号：CN105244367A公开日：20160113
摘要：本发明涉及一种衬底结构，其包括：绝缘衬底，所述绝缘衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述绝缘衬底包括从所述第一表面形成到所述绝缘衬底中的第一沟槽，所述第一沟槽由第一侧壁及第一底部形成。所述衬底结构包括第一导电材料，至少部分所述第一导电材料位于所述第一沟槽中，其中所述第一导电材料具有第一表面，所述第一表面未接触所述第一底部及所述第一侧壁。
申请人：日月光半导体制造股份有限公司
地址：中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
国籍：CN
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：林斯凯
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