一种在微纳光纤表面制备的单层二维材料及其光活化方法[发明专利]
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专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种在微纳光纤表面制备的单层二维材料及其光活
化方法
专利类型：发明专利
发明人：谷付星,廖风,于佳鑫,顾兆麒,徐颖申请号：CN201910805628.1申请日：20190829公开号：CN110510865A公开日：20191129
摘要：本发明提供了一种在微纳光纤表面制备的单层二维材料及其光活化方法，属于单晶合成领域。本发明提供在微纳光纤表面制备的单层二维材料的制备方法的基于化学气相沉积法，包括如下步骤：将拉制好的微纳光纤放置在倒扣的石英舟底上，置于管式高温炉中，调节到合适的生长程序，可以实现在直径从0.3μm‑20μm的光纤表面上生长单层二维材料，经过光活化处理后，其量子效率可以达到30％。本发明方法简单高效、低成本。所制备的光纤表面的二维材料表面质量好，发光效率高，在相干光源、非线性光学、光电子学等领域有潜在的应用价值。
申请人：上海理工大学
地址：200093 上海市杨浦区军工路516号
国籍：CN
代理机构：上海德昭知识产权代理有限公司
代理人：郁旦蓉
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