一种QLED器件及其制备方法[发明专利]
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专利名称：一种QLED器件及其制备方法专利类型：发明专利发明人：王宇,曹蔚然,李龙基申请号：CN201711349852.1申请日：20171215公开号：CN109935706A公开日：20190625
摘要：本发明公开一种QLED器件及其制备方法，所述QLED器件包括层叠设置的阴极、量子点发光层和阳极，其中，还包括设置于量子点发光层与阳极之间的界面层，所述界面层的材料为碳量子点。本发明所制备的反型QLED器件，通过在HTL层和QD层之间设置一界面层，该界面层可以防止在全溶液法制备反型QLED器件的HTL或HIL的过程中对QD层造成的溶解冲刷影响，从而提高了器件的效率。
申请人：TCL集团股份有限公司
地址：516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
国籍：CN
代理机构：深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
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