一种晶圆级真空封装的MEMS晶振及其制备方法

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201510337112.0 （22）申请日 2015.06.17

（71）申请人 上海集成电路研发中心有限公司

地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

（10）申请公布号 CN104900540B

（43）申请公布日 2018.04.06

（72）发明人 左青云;康晓旭;李铭

（74）专利代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人 吴世华

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种晶圆级真空封装的MEMS晶振及其制备方法

（57）摘要

本发明提供一种晶圆级真空封装的

MEMS晶振结构和制备方法，包含：衬底，衬底支撑层，由固定结构、活动结构、金属互连组成的晶振主体结构以及盖帽材料，固定结构位于衬底支撑层上方，活动结构通过桥臂连接至衬底支撑层上的锚点处，能与固定结构发生相对运动，金属互连由金属连线和压焊点组成，金属连线分别将锚点和固定结构连到对应的压焊点，晶振固定和活动结构区域围有围柱，盖帽材料以围柱为键合点实现与衬底整体真空封装；在衬底上定义MEMS

晶振固定和活动结构，形成围柱，释放活动结构，最后用盖帽材料与围柱真空键合完成MEMS晶振晶圆级真空封装。本发明的结构和方法与CMOS工艺完全兼容，充分利用全自动化的优势，真空封装工艺简单，有利于推广应用。 法律状态

法律状态公告日2015-09-09 2015-09-09 2015-10-07 2015-10-07 2018-04-06

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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