存储器装置及其制造方法[发明专利]
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专利名称：存储器装置及其制造方法专利类型：发明专利发明人：杨峻升,池田典昭申请号：CN201811013148.3申请日：20180831公开号：CN110875316A公开日：20200310
摘要：本发明提供一种存储器装置及其制造方法。该存储器装置包括形成于基板上的层间绝缘层、形成于层间绝缘层中的导电接触插塞、形成于导电接触插塞上的导电阻挡层以及形成于导电阻挡层上的电容结构。导电接触插塞的顶表面的面积小于导电阻挡层的底表面的面积，且导电接触插塞的顶表面完全地被导电阻挡层的底表面所覆盖。本发明可以有效地改善存储器装置的良品率与临界尺寸。
申请人：华邦电子股份有限公司
地址：中国台湾台中市
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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