（12）发明专利申请
（21）申请号 CN03113769.5 （22）申请日 2003.02.18 （71）申请人 华南师范大学
地址 510630 广东省广州市天河区石牌
（10）申请公布号 CN1434482A （43）申请公布日 2003.08.06
（72）发明人 王浩;范广涵
（74）专利代理机构 广州粤高专利代理有限公司
代理人 何燕玲
（51）Int.CI
H01L21/20; C30B25/02; C30B29/38;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
氮化镓晶体的制造方法
（57）摘要
本发明涉及半导体器件材料的制造方法，
更准确地是氮化镓晶体的制造方法，包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长氮化镓或氮化铝；(2)在氮化镓表面热沉积硅、碳化硅、氮化硅、或氧化硅的结晶颗粒；(3)继续外延生长氮化镓如再生长不掺杂的或掺杂的氮化镓薄膜D或LED、LD、
HEMT等光电子、电子器件结构；所述衬底可以是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌、氧化镁、LiAlO
法律状态
法律状态公告日
2003-08-06 2003-10-22 2005-11-16 2007-04-25
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
专利权的终止未缴年费专利权终止
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公开
实质审查的生效 授权
专利权的终止未缴年费专利权终止
权利要求说明书
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说明书
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