一种H桥逆变电路[实用新型专利]
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专利名称：一种H桥逆变电路专利类型：实用新型专利发明人：孙厚勋,汪小波,李森岗申请号：CN201921457384.4申请日：20190904公开号：CN210490746U公开日：20200508
摘要：本实用新型公开了一种H桥逆变电路，包括场效应管HJMOS1、场效应管HJMOS2、场效应管HJMOS3、场效应管HJMOS4、电阻HR1、电阻HR2、电阻HR3和电阻HR4，所述电阻HR1的一端连接第一路正弦波信号，电阻HR1的另一端连接电阻R4、二极管Z2和场效应管HJMOS1的栅极，电阻R4的另一端连接二极管Z1的阳极、场效应管HJMOS1的源极、电感L2和地，本实用新型通过采用H桥结构，对电压进行逆变操作，并且在电路中增加了滤波吸收电路，使交流电压波形质量更好，并去除尖刺脉冲干扰。
申请人：上海圣速电子科技股份有限公司
地址：201806 上海市嘉定区外冈镇汇仁路1500号2幢三层B区
国籍：CN
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