钛酸锶钡改性掺杂的研究进展

维普资讯 http://www.cqvip.com 钛酸锶钡改性掺杂的研究进展／刘桂君等　・３３３・　钛酸锶钡改性掺杂的研究进展　刘桂君，胡文成，朱琳，谢振宇　（电子科技大学微电子与固体电子学院，成都６１００５４）　摘要　介绍了国内外近几年钛酸锶钡（Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ　Ｂａｒｉｕｍ　Ｔｉｔａｎａｔｅ，ＢＳＴ）在掺杂改性方面的研究现状及各种掺　杂对ＢＳＴ介电性能的影响，重点讨论了不等价掺杂及掺杂量对漏电流和介电损耗的影响，论述了材料组成、显微结构　与介电性能之间的关系。最后提出了关于掺杂改性方面存在的问题。　关键词　钛酸锶钡掺杂介电性能漏电流　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｐｒｏｇｒｅｓｓ　ｉｎ　Ｄｏｐｉｎｇ　Ｍｏｄｉｉｆｃａｔｉｏｉｌ　ｏｆ　Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ　Ｂａｒｉｕｍ　Ｔｉｔａｎａｔｅ　ＬＩＵ　Ｇｕｉｊｕｎ，ＨＵ　Ｗｅｎｃｈｅｎｇ，ＺＨＵ　Ｌｉｎ，ＸＩＥ　Ｚｈｅｎｇｙｕ　（Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ￣Ｓｏｌｉｄｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＵＥＳＴ　ｏｆ　Ｃｈｉｎａ，Ｃｈｅｎｇｄｕ　６１００５４）　Ａｂｓｔｒａｃｔ　Ｔｈｅ　ｐｒｏｇｒｅｓｓ　ｏｆ　ｄｏｐｉｎｇ　ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｂ峨Ｓｒｌ　Ｔｉ０３（Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ　Ｂａｒｉｕｍ　Ｔｉｔａｎａｔｅ）ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｉｓ　ｒｅ—　ｖｉｅｗｅｄ．Ｔｈｅ　ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ｖａｒｉｏｕｓ　ｔｙｐｅｓ　ｏｆ　ｄｏｐａｎｔｓ　ｓｕｃｈ　ａｓ　ａｎ　ａｃｃｅｐｔｏｒ　ａｎｄ　ａ　ｄｏｎｏｒ　ａｎｄ　ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｄｏｐａｎｔｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｄｉｅ—　ｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ａｒｅ　ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ．Ｔｈｅ　ｒｅｌａｔｉｏｎｓ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ，ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ａｒｅ　ｄｉｓ—　ｃｕｓｓｅｄ．Ｔｈｅ　ｍａｊｏｒ　ｐｒｏｂｌｅｍｓ　ｏｆ　ｄｏｐｉｎｇ　ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ　ａｒｅ　ａｌｓｏ　ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ　ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ　ｂａｒｉｕｍ　ｔｉｔａｎａｔｅ，ｄｏｐｉｎｇ，ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，ｌｅａｋａｇｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　０引言　相反，施主掺杂是指取代离子的氧化数高于被取代离子的掺杂，　它释放出电子，并形成离子化的、不能移动的正电荷中心，常用　固溶体钛酸锶钡（Ｂａ　Ｓｒｌ一　Ｔｉ０３，简称ＢＳＴ）是一种典型的　Ｎｂ　及Ｌａ３　［２３，２４］、Ｄｙ３“　５Ｊ等稀土离子对ＢＳＴ进行施主取　型结构，因具有较高的介电常数、低的介电损耗和小的漏　代。　电流、大的介电可调性及较高的热释电系数等优点在动态随机　１．１．２等价掺杂　存储器ｌ＿】］、集成微波器件ｌ＿２］、红外探测器［３］等领域具有广阔的应　等价掺杂也是比较常见的，它是指掺杂离子取代了具有相　用前景。纯ＢＳＴ的电场调谐量虽然可以高达５Ｏ　以上，但其介　同价态的离子。如＋２价Ｐｂ抖、Ｃａ抖对Ａ位的取代，＋４价的　电损耗及漏电流都较高，不宜用于微波器件。目前，为改善其性　Ｓｎ４　、Ｚｒ４　等离子对Ｂ位的取代，这两类取代都属于等价取代。　能，不少工作者在ＢＳＴ改性掺杂方面进行了大量的研究，这些　但研究表明，有的掺杂离子或者原子并不像上述原子占据　研究主要围绕着掺杂离子的种类、剂量及对其ＢＳＴ微观结构、　ＢｓＴ的正常格点，而是在晶粒的边界处产生了抑制晶粒的生　介电性能与调谐性能的影响，本文综述了近年来这几方面的研　长，降低烧结温度等作用。如玻璃相物质Ｂ２（）３和ＳｉＯｚ就存在　究进展。　于ＢｓＴ晶粒的边界。　１掺杂类型与取代机理　１．２取代机理　对于原子在ＢＳＴ正常格点所取代的位嚣，可以根据电中性　１．１　掺杂类型　原理及容忍系数来进行估计。按照电中性原理，要求发生取代　与ＢＴ０类似，ＢＳＴ可以通过掺杂达到改善结构及性能的　反应时电价变化要小，而固溶理论中的容忍因子指出，两离子半　目的。根据取代原子与被取代原子氧化数高低可分为不等价取　径越接近，则取代的机率就越大＿２引。一般情况下，半径较大、价　代与等价取代。　态较低的离子进入Ａ位，而半径较小、价态较高的进入Ｂ位。　１．１．１不等价取代　表１中列出了常见的掺杂离子半径及在ＢＳＴ中取代的位置，根　目前研究较多的是不等价掺杂，不等价掺杂包括受主掺杂　据表中的半径可以计算出各取代离子的容忍因子。当然对＋３　与施主掺杂。受主掺杂是指取代离子氧化数低于被取代离子的　价的稀土金属离子，占据Ａ位还是Ｂ位，除与半径有关外，还与　掺杂，它能接受电子，并在价带中形成带正电的空穴，使费米能　掺杂的浓度相关。一般离子半径越小，越优先进入Ｂ位。低浓　级降低　另外根据缺陷方程式，受主掺杂离子在结构中常产生　度时，主要是Ａ位的替代方式，高浓度时则进入Ｂ位，具体的临　氧空位ＶＯ来平衡电荷，常用的受主掺杂离子有Ｍｅ＋［　、　界浓度与Ｂ／Ａ浓度比有关，如掺Ｙ的ＢＳＴＣ卵　中，少量掺杂时Ｙ　Ｃｏ３＋Ｅ１　、ＣｏＺ＋Ｅｎ３、Ｎｉ２＋￣１２・ｌＳ］、Ｍｎ２＋［１４～１　、ＭｎＳ＋、Ｆｅ抖、　将替代Ａ位Ｂａ／Ｓｒ作为施主掺杂，当Ａ位的离子浓度大于化学　Ｆｅｓ１。［１７，１８］、Ａ１叶［１９．２０　、Ｃｅ　［。　、Ｇａｓ　、Ｃｒｓ　、Ｉ　等。与受主掺杂　计量比时，它可以替代Ｂ位Ｔｉ　作为受主掺杂。　＊９７３重大基础研究项目（５１３１ＯＺ０４—３）　刘桂君：女，１９７９年生，研究生，主要从事ＢＳＴ薄膜方面的研究　维普资讯 http://www.cqvip.com ・３３４・　材料导报　２００６年ｌ１月第２Ｏ卷专辑Ⅶ　衷１　常见掺杂离子取代位置　注：Ｂａ２　：ｒ＝０．１３５ｒｉｍ，Ｓｄ。＿：ｒ＝０．１１３ｎｍ，Ｔｉ　：ｒ＝０．０６８ｎｍ　２掺杂工艺对介电性能影响的研究　适量的掺杂可以改善ＢＳＴ的性能，包括介电性能、烧结性　能和ＢＳＴ／电极或者基板的界面性能。不同的掺杂离子和掺杂　量显然对介电性能具有不同的影响。在此，重点介绍不等价掺　杂的改性作用。　２．１不等价掺杂ＢＳＴ工艺的研究进展　２．１．１掺杂种类对介电性能的影响　引入的离子不同。薄膜的组分、缺陷、微观结构、微粒尺寸及　性能也将不同。Ｍｇ　、Ｃｏ抖、Ｎｉ　、Ｍｎ｝｝、Ｍｎ抖、Ｆｅ抖、Ｆｅ３　、　Ａｌ什、　、Ｉｎ抖等离子取代ＢＳＴ中的Ｂ位而成为受主掺杂。　据上述文献表明，受主掺杂将会大大提高其介电性能。根据缺　陷方程式，受主掺杂的引入可以中和掉氧空位的施主性行为，降　低ＢＳＴ薄膜系统的电子浓度，　／电极界面的肖特基势垒高　度或者增大耗尽层宽度，如图１所示，从而使得肖特基电子发射　或者隧穿电流降低。而施主掺杂则起相反的作用，不利于减少　漏电流。另一方面，受主掺杂离子对电子在Ｔ　与Ｔｉ¨之间的　跃迁具有抑制作用，可以降低ＢＳＴ介电损耗，提高优值因子　ＦＯＭ（Ｆｉｇｒｕｅ　ｏｆ　ｍｅｒｉｔ）。　＿　１ＯｎｌＣ　．１０ｎ　ｉ　Ｐｔ　、Ｄｏｎｏｒ　ｄ。ＤＩＩⅢ　匕　。Ｐｔ　ｏｐ　豫　Ｒ　Ｐｏｔｔｏ　ｔｒｏｄ　｝、　ＢＳＴ　ｆｉｌｍ　。。／｛　ｄ￣ｔｒｃ　｝　ｊｊ。　嘴　．　“　＃精　Ｅ’，　唔ｊ＾　图１　无偏压下Ｐｔ／酬Ｐｔ的能带图ｒ　（　：肖特基势垒高度，Ｗ、ｗ　、ｗ　分别是ＢＳＴ、受主掺杂与　施主掺杂耗尽层宽度）　Ｆｉｇ．１　Ｅｎｅｒｇｙ－ｂａｎｄ　ｄｉａｇｒａｍ　ｏｆ　ａ　Ｐｔ／Ⅸ汀／Ｐｔ　ｃａｐａｃｉｔｏｒ　ｗｉｔｈｏｕｔ　ｂｉａｓ　ｖｏｌｔａｇｅ　不同的受主掺杂离子，其改性效果是不一样的。大量研究　表明，Ａｌ件是一种较为理想的掺杂离子，掺杂Ａｌ３　的ＢＳＴ不但　有较低的漏电流和介电损耗，而且还拥有较高的电场调谐量。　这是由于掺Ａｌ３　前后结构的变化改善了电场调谐的性能【２。。，　小半径的Ａｌ抖取代了大半径的Ｔｉ什，晶体体积结构更加紧凑，　占据氧八面体中心离子之间的间距缩小，使系统的非谐性相互　作用增强，从而使其介电调谐性能得到提高。Ｋ．Ｂ　Ｃｈｏｎｇ等　研究了掺Ａｌｚ　０３的ＢＳＴ薄膜，发现在８ｋＶ／ｃｍ时掺铝的ＢＳＴ电　场调谐量达１５．９　，介电损耗为０．０１１，并认为此ＢＳＴ薄膜适　用于微波器件领域。不过，Ｊ．Ｋ．Ｋｉｍ最近发现掺Ｃｒ３。。的ＢＳＴ　薄膜在微波领域也极具竞争力，其（在２６７ｋＶ／ｃｍ）电场调谐量　可达５６．１　。　．从以上分析来看，施主掺杂离子会增加漏电流，不利于改　善介电性能，但是很多试验却证明，施主掺杂同样会降低介电损　耗及漏电流，增加ＦＯＭ值。目前研究较多的施主掺杂有　Ｂｉ计［勰］、Ｌａａ　、　、Ｎｂ抖等几种掺杂离子。关于施主掺杂改善　性能的分析，可以从掺杂对缺陷及晶粒尺寸两方面的影响进行，　一方面，根据缺陷方程式，施主掺杂的引入；将抑制氧空位的产　生；另一方面，掺杂后晶粒尺寸一般变小，这两种因素对降低漏　电流及介电损耗都非常有利。施主掺杂改性的效果与掺杂离子　取代的位置也有关系，ｓ．Ｒ　Ｋｒｕｐａｎｉｄｈｉ＿ｌ２。］用ＭＯＤ法对ＢＳＴ分　别掺Ｎｂ针与Ｌａ　，发现掺　比掺Ｎｂ抖影响更大，掺Ｌａ件的　ＢＳＴ有更好的结晶性能，因而其介电常数比同工艺条件下掺　Ｎｂ讣的要大，其原因主要是由于两者取代位置的不同，使得进　入晶格的能量也不同。通过分析认为进入Ａ位比进入Ｂ位所　需要的能量要低，所以Ｌａ抖比Ｎｂ　更容易进入钙钛矿中的晶　格位置。　上述是单一掺杂对ＢＳＴ材料介电性能的影响，为提高掺杂　改性的效率，研究者开始对共掺杂形式产生兴趣。刘茜等＿３。］研　究了Ａ、Ｂ位单一掺杂和异位混合掺杂对ＢＳＴ材料介电性能的　影响，发现Ｌａ件／Ｆｅ抖、Ｌａ３　／Ｃｕ抖系列共掺杂后，其介电损耗要　比单一掺杂明显低很多。更有趣的现象是Ｌａ件／Ｆｅ３　共掺杂　后，介电常数比未掺杂的还要高，这种共掺杂对介电性能的改善　机理，可能是由于Ａ和Ｂ位取代掺杂的协同作用而使整体的介　电损耗降低。　２．１．２掺杂量的影响　掺杂量对改性的影响也不容忽视　少量掺杂时，介电性能　得到显著提高，但掺杂量过多，漏电流或者介电损耗反而会增　大，ＦＯＭ值变小。Ｓ　Ｓａｈａ等　］研究了Ａｌ掺杂ＢＳＴ的漏电流　特性，发现掺１．Ｏａｔ％Ａｌ的漏电流比掺０．１ａｔ　的大很多，如图２　所示。　言　墨　０　ｌ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｆｉｃｌｄ，ｋＶ／ｃｍ　圈２Ⅸ汀的Ｉ＿Ｖ特性　Ｆｉｇ．２　Ｃｕｒｒｅｎｔ　ｄｅｎｓｉｔｙ　１ｔ８　ａ　ｆｕｎｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ａｐｐｌｉｅｄ　ｅｉ￣ｔｄｃ　ｆｉｅｌｄ　ｆｏｒ　ｎｕｄｏｐｅｄ　ａｎｄ　Ａｌ－ｄｏｐｅｄ　ＢＳＴ　ｆｉｌｍｓ　ｍｅａｓｕｒｅｄ　ａｔ　ｒｏｏｍ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　这种现象的出现，是与ＢＳＴ薄膜中缺陷的变化相关。由缺　陷方程式（１）可知，作为受主掺杂的Ａｌ可以中和掉氧空位的施　主性行为，并阻碍Ｔ　与Ｔｉ抖之间的变价。所以当Ａｌ掺杂量　比较小时，漏电流将逐渐减少；当Ａｌ掺杂量过多时，则会引起新　的缺陷即氧空位的出现，因而在电场的作用下，将导致漏电流增　维普资讯 http://www.cqvip.com 钛酸锶钡改性掺杂的研究进展／刘桂君等　加。所以要提高介电性能，受主掺杂离子的量最好能控制在恰　好补偿ＢＳＴ系统中多余电子的范围内。　２Ｂ“ｏ（Ｓｒ０）＋Ａｌ　０３—　２Ｂ口肠＋２Ａ　ｍ＋５Ｑ＋２Ｖ０　（１）　・３３５・　景。近年来研究者在掺杂改性方面取得了较大的进展，但是要　使ＢＳＴ在实际运用中取得进一步的突破，还需要进行大量的研　究：如各种掺杂对介电常数、晶粒的微观尺寸的影响；掺杂对ＢＳＴ　同样，掺杂过多的施主离子也会引起Ｂｓｒ介电性能的降　低。Ｌｉａｎｇ等口。］对Ｌａｚ０３（Ｏ　～３　（ｗｔ））掺杂ＢＳＴ的研究就　是一个典型的例子。其介电性能随掺杂量变化的关系如表２所　示。从表２中可以发现掺杂量为３ｗｔ　时，其介电损耗明显增　大，而ＦＯＭ减小。用缺陷方程式（２）进行分析，Ｌａ。　取代Ｂａ／Ｓｒ　后，将诱导电子缺陷的出现，随着掺杂量的增大，电子缺陷也增　大，根据Ｗ　Ｇ．Ｖｅｎｄｉｋ的研究，这种缺陷将在电场下移动，因而　增大介电损耗，使得ＦＯＭ减小。　２Ｌａ２（）３＋６Ｔｉ０２—４　＆＋２　乜＋６孔　＋１８　（２）　寝２微波频段下Ｌ啦０３掺杂对Ⅸ汀介电性能的影响　＇Ｆａｂｌｅ　２　Ｓｕｍｍａｒｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　Ｌａ２　Ｏｓ　ｄｏｐｉｎｇ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｔｅｓ　ａｔ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｒｅｍｎａｎｔ　Ｄｉｅｌｅｃｔｉｒｃ　Ｔｈｅ　ｌ０ｓｓ　．　ｆｒｅｐｕｅｎｃｙ，Ｇ∞ｎ　，￡ｒ　ｔａｎ　ｎｔ，ｔａ惦　Ｑ×ｆ　Ｕｎｄｏｐｅ　３．５０　１５８　０．００５０　７００　０．５ｗｔ　Ｉ　ａ２０３　３．６５　１５５　０．００４６　７９０　１．０ｗｔ　Ｌａ２Ｏｓ　３．３３　１２７　０．００２８　１１９０　１．５ｗｔ　Ｌａ２０３　４．Ｏ　８７　０．００１９　２１０５　３．０ｗｔ％Ｌａ２（）３　４．２　７８　０．００３５　１２００　另外掺杂量对稀土掺杂影响特别大，根据前面的取代机理，　可以预测掺杂量的不同将会导致稀土元素取代位置的不同。稀　土元素掺杂都是不等价掺杂，由于稀土元素掺杂ＢＳＴ远比一般　的不等价掺杂改性复杂，所以其反应机理还不明确，不过经过实　验研究可以证明，适量稀土掺杂可以提高介电性能。如“神奇”　元素　掺杂使Ｂ　薄膜不但具有非常小的漏电流（１０　Ａ／ｃｍ，１００ｋＶ／ｃｍ），而且电容率比未掺杂的提高７Ｏ　。掺　０．５ｍｏｌ　的ＣｅＣｈ不仅可以降低ＢＳＴ／ＭｇＯ系统的烧结性能，　还可使介电损耗在２５０ｋＨｚ时降低约４ｏ　。　２．２等价掺杂工艺研究进展　常见的等价掺杂Ｃａ抖及取代Ｂ位的Ｓｎ　或者ｚｒ４　都具有　使ＢＳＴ的居里温度左移并展宽的作用，在一定程度上也有改善　介电性能的作用。与不等价掺杂相比，等价掺杂对ＢＳＴ介电性　能影响要小一些，所以对它的研究也相对少一点。　２．３其他类型掺杂ｌＩＳＴ工艺研究　近年来，关于掺杂微粒占据晶粒边界的研究也较多，比较典　型的是用玻璃相物质Ｓｉ０２［３　］与Ｂ２　０３［３朝掺杂ＢＳＴ。这些玻璃　相的引入会降低ＢＳＴ的介电性能，不过实验证明这种掺杂还是　有较大的实用价值。Ｓ　ＬｉｕＥ３６］发现掺５ｍｏｌ　ＳｉＯ２的ＢＳＴ薄膜　的Ｔ（：Ｄ与热释电系数在２Ｏ～２５℃时分别是４．６　和８．１×　１０　ｃｍＬ　Ｋ，该性能有望成为ＵＦＰＡ的先进材料之列。　最后应该说明一点，掺杂对性能的影响还与其制备的方法　及工艺条件有关，对于这方面的研究已有很多文献报道，在此就　不再作进一步探讨。　３结语　ＢＳＴ作为一种优良的铁电材料，有着非常诱人的运用前　晶面、ＢＳＴ薄膜／电极界面性能的改变；这些改变与掺杂浓度的关　系等。这些掺杂效应都值得我们在物理上进行系统的分析。　参考文献　１　Ｍｉｋｉｏ　Ｙ，Ｔａｋａａｋｉ　Ｋ，Ｔｅｔｓｕｒｏ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｔｈｅｒｍａｌ　ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ｏｆ（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯｓ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｃｈｅｍｉ—　ｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ．Ｊｐｎ　Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，１９９６，３５：７２９　２　Ｃｈａｎｇ　Ｗ，Ｓｅｎｇｕｐｔａ　Ｉ　．ＭｇＯ－ｍｉｘｅｄ　Ｂａ０．６　Ｓｒ０．４　ＴｉＯｓ　ｂｕｌｋ　ｃａ—　ｒａｍｉｃｓ　ａｎｄ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓｆｏｒ　ｔｕｎａｂｌｅ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．Ａｐ—　Ｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００２，９２（５）：３９４１　３　Ｌｉｕ　Ｓｈａｏｂｏ，Ｌｉｕ　Ｍｅｉｄｏｎｇ，Ｚｅｎｇ　Ｙｉｋｅ，ｅｔ　ａ１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｂａｌ－ｘＳｒ　ＴｉＯｓ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｕｎｃｏｏｌｅｄ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｆｏｃａｌ　ｐｌａｎｅ　ａｒｒａｙｓ．Ｍａｔｅｒ　Ｓｃｉ　Ｅｎｇ，２００２，Ｃ　２２：７３　４　Ｌｅｅ　Ｓ　Ｙ，Ｔｓｅｎｇ　Ｔ　Ｙ．Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ａｎｄ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｂｅｈａｖｉｏｒ　ｏｆ　ＭｇＯ　ｄｏｐｅｄ　．７　Ｓｒ０．３　Ｔｉ０３　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｏｎ　Ａｌ２　Ｏ３　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ．　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００２，８０：１７９７　５　Ｊｏｓｈｉａ　Ｐ　Ｃ，Ｃｏｌｅ　Ｍ　Ｗ．Ｍｇ－ｄｏｐｅｄ　Ｂａｏ．６Ｓｒ０　４ＴｉＯ３　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｔｕｎａｂｌｅ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２０００，　７７：２８９　６　Ｃｏｌｅ　Ｍ　Ｗ，Ｇｅｙｅｒ　Ｒ　Ｇ．Ｔｈｅ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐ—　ｅｒｔｉｅｓ　ｏｎ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｌ　ｖａｒｉａｔｉｏｎ　ｆｏｒ　ｔｕｎａｂｌｅ　ｄｅｖｉｃｅ　ａｐｐｌｉｃａ—　ｔｉｏｎｓ．Ｍｅｃｈａｎｉｃｓ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒ，２００４，３６：１０１７　７　Ｃｏｌｅ　Ｍ　Ｗ，Ｊｏｓｈｉ　Ｐ　Ｃ，Ｅｒｖｉｎａ　Ｍ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｔｈｅ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｍｇ　ｄｏｐｉｎｇ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｂａ１一　Ｓｒ　ＴｉＯｓ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｔｕｍｂｌｅ　ｄｅｖｉｃｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，　２０００，３７４：３４　８　Ｃｏｌｅ　Ｍ　Ｗ，Ｎｏｔｈｗａｎｇ　Ｗ　Ｄ，Ｈｕｂｂａｒｄ　Ｃ，ｅｔ　ａ１．Ｌｏｗ　ｄｉｅｌｅｃ—　ｔｒｉｃ　ｌＯＳＳ　ａｎｄ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｔｕｍｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　Ｂａ０　６　Ｓｒ０　４　Ｔｉ（）３　ｂａｓｅｄ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｖｉａ　ｍａｔｅｒｉａｌ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｌ　ｄｅｓｉｇｎ　ａｎｄ　ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ　ｆｉｌｍ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｍｅｔｈｏｄｓ．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，２００３，９３（１１）：９２１８　９　Ｃｏｌｅ　Ｍ　Ｗ，Ｈｕｂｂａｒｄ　Ｃ，Ｎｇｏ　Ｅ，ｅｔ　ａ１．Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ－ｐｒｏｐｅｒｔｙ　ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｓ　ｉｎ　ｐｕｒｅ　ａｎｄ　ａｃｃｅｐｔｏｒ－ｄｏｐｅｄ　Ｂａ卜　Ｓｒ　Ｔｉ（）３　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｔｕｍｂｌｅ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ｄｅｖｉｃｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ。　２００２，９２（１）：４７５　１０　Ｗａｎｇ　Ｓ　Ｙ，Ｃｈｅｎｇ　Ｂ　Ｌ，Ｗａｎｇ　Ｃａｎ，ｅｔ　ａ１．Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｌｅａｋａｇｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｂｙ　Ｃｏ　ｄｏｐｉｎｇ　ｉｎ　Ｐｔ／Ｂａｏ．５　Ｓｒ０．５　ＴｉＯ３／Ｎｂ－Ｓｒ—　ＴｉＯ２　ｃａｐａｃｉｔｏｒ．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００４，８４（２０）：４１１６　ｌｌ高丽娜，杨晓静，张良莹，等．Ｃｏ掺杂对ＢＳＴ薄膜介电性能　的影响．电子元件与材料，２００５，２４（１１）；４９　１２张训栋，杨晓静，姚熹，等．Ｎｉ掺杂对钛酸锶钡铁电薄膜性　能的影响．压电与声光，２００５，２７（４）：０４０１　１３　Ａｈｎ　Ｋｕｎ　Ｈｏ，Ｂａｉｋ　Ｓｕｎｇｇｉ．Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ　ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ　ｏｆ　ｌｅａｋ—　ａｇｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｉｎ（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯｓ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｂｙ　Ｎｉ　ｏｒ　Ｍｎ　ｄｏｐｉｎｇ．　Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，２００２，９２：２６５１　１４鲍军波，任天令，刘建设，等．Ｍｎ掺杂ＢｓＴ薄膜的制备与表　征．压电与光，２００２，２４（５）：０３８９　１５　Ｋａｎｇ　ＫｙｏｎｇＴａｅ，Ｌｉｍ　Ｍｉ－Ｈｗａ，Ｋｉｍ　Ｈｏ－Ｇｉ．Ｍｎ－ｄｏｐｅｄ　Ｂａｏ．６　Ｓｒ０．４　Ｔｉ０３　ｈｉｇｈ—Ｋ　ｇａｔｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ　ｆｏｒ　ｌｏｗ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｏｒｇａｎ—　ｉｃ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ｏｎ　ｐｏｌｙｍｅｒ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００５，　８７：２４２９０８　１６　Ｚｈｕ　Ｘ　Ｈ，Ｚｈｅｎｇ　Ｄ　Ｎ，Ｐｅｎｇ　Ｗ，ｅｔ　ａ１．Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｍｎ　ｄｏｐｅｄ　．６　Ｓｒｏ　４　ＴｉＯ２　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｂｙ　ｐｕｌｓｅｄ　ｌａｓｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ．Ｍａｔｅｒ　Ｌｅｔｔ，２００６，６０：１２２４　（下转第３３８页）　维普资讯 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・３３８・　材料导报　２００６年１１月第２ｏ卷专辑Ⅶ　２５．６４００。两处有强度相对较弱的晶体衍射峰；溶胶一凝胶法样品　时，薄膜样品逐渐完成非晶态到晶态的转变，在４００＂（２以上退火　在４００℃下退火处理后得到的Ｘ一衍射图，在２０为２４．０４４７。处有　处理后，衬底也产生了晶体衍射峰。样品的结构形态和光学性　强度很高的晶体衍射峰，另外在２３．５６００。和２２．９８５０。两处也有　质对其气敏性能有很大的影响，例如非晶态结构样品相对疏松　强度相对较弱的晶体衍射峰，说明在３８０℃、４００℃下退火处理　多孔，利于吸附气体，对氧气的灵敏度可能高于晶态结构的样　后三氧化钨薄膜样品的结构形态主要为晶态。　品，所以该研究结果对我们下一步研究氢敏性能有一定的指导　Ｆ为直流反应磁控溅射法样品在４５０℃下退火处理３０ｍｉｎ　作用。　后得到的）（】ｍ图，同样在２０处为２３．９６００。处有强度很高的晶　体衍射峰，在２３．１０００。和２３．５６５０。两处也有强度相对较弱的晶　参考文献　体衍射峰，另外在２０为２８．１４００。处多了一个强度相对较大的晶　Ｂａｋｅｒ　Ａ　Ｐ，Ｈｏｄｇｓｏｎ　Ｓ　Ｎ　Ｂ。Ｅｄｉｒｉｓｉｎｇｈｅ　Ｍ　Ｊ．Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　体衍射峰。同时该法样品在５００℃下退火处理后得到的衍射峰　ｔｕｎｇｓｔｅｎ　ｏｘｉｄｅ　ｃｏａｔｉｎｇ．ｖｉａ　ｓｏｌ—ｇｅｌ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｏｆ　ｔｕｎｇｓｔｅｎ　与４５０℃的样品衍射峰很相似，也是在２８．１４４６。处多了一个较　ａｎｉｏｎ　ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ［Ｊ－］．Ｓｕｒｆ　Ｃｏａｔ　Ｔｅｃｈｎ，２００２，１５３：１８４　强的晶体衍射峰，经分析判断应该是衬底在高温处理后产生的　Ｔａｎｎｅｒ　Ｒ　Ｅ，Ｓｚｅｋｅｒｅｓ　Ａ，Ｇｏｑｏｖａ　Ｄ，ｅｔ　ａ１．Ｓｔｕｄｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｕｒ—　衍射峰，而不是薄膜样品产生的衍射峰　］。将５００℃和４００℃　ｆａｃｅ　ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ　ｏｆ　ＣＶＤ－ｔｕｎｇｓｔｅｎ　ｏｘｉｄｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｓｕｒｆ　Ｓｃｉ，２００３，２１８：１６２　下退火处理得到的样品的Ⅺ让）图相比较，除了衬底产生的衍射　Ｈｉｒｏｈａｒｕ　Ｋａｗａｓａｋｉ，Ｔｓｕｙｏｓｈｉ　Ｕｅｄａ，Ｙｏｓｈｉａｋｉ　Ｓｕａｄａ，ｅｔ　峰，其他衍射峰的位置和强度都很相似，说明在３５０～４００￣Ｃ温　ａ１．Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｍｅｔａｌ　ｄｃｌｐｅｄ　ｔｕｎｇｓｔｅｎ　ｏｘｉｄｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　度范围内退火处理，三氧化钨薄膜样品逐渐完成非晶态到晶态　ＮＯｘ　ｇａｓ　ｓｅｎｓｏｒｓ　ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　ＰＩ　Ｄ　ｍｅｔｈｏｄ　ｃｏｍｂｉｎｅｄ　ｗｉｔｈ　的转变。　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ￣Ｊ］．Ｓｅｎｓｏｒｓ　ａｎｄ　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ，２００４，Ｂ　１００．　２６６　３结论　４　Ｅｓｒａ　Ｏｚｋａｎ，Ｌｅｅ　Ｓｅ－Ｈｅｅ，Ｉ　ｉｕ　Ｐｉｎｇ，ｅｔ　ａ１．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｃ　本文采用溶胶一凝胶法和磁控溅射法得到表面均匀致密的　ａｎｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｍｅｓｏｐｏｒｏｕｓ　ｔｕｎｇｓｔｅｎ　ｏｘｉｄｅ　ｆｉｌｍｓ　三氧化钨薄膜。表征结果表明：两种方法制备的三氧化钨薄膜　５　［Ｊ］．Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｉｏｎｉｃｓ，２００２，１４８：１３９　Ｉ　ｉ　Ｙ，Ａｔａｓｈｂａｒ　Ｍ　Ｚ，Ｇｈａｎｔａｓａｌａ　Ｍ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．ＷＯｓ　ｔｈｉｎ　在退火前透光率相似，在３００＂（２以上退火处理后薄膜样品的透　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　ｓｏｌ—ｇｅｌ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｆｏｒ　ｏｚｏｎｅ　ｓｅｎｓｉｎｇ￣Ｊ］．　光率下降，且退火温度越高，透光率越低；在３５０＂（２以下退火处　Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ａｎｄ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，　理得到的三氧化钨薄膜样品为非晶态，３５０￣４００℃范围内退火　１９９８．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ，１９９８．３０６　、　‘　（上接第３３５页）　２６曹全喜，周晓华。孙志。等．Ｍｎ在ＳｒＴｉＯｓ功能陶瓷中的作　１７　Ｌｏｒｅｎｚ　Ｍ，Ｈｏｃｈｍｕｔｈ　Ｈ。Ｓｃｈａｌｌｎｅｒ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　用．压电与声光，１９９８，２０（１）：５９　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｆｅ－ｄｏｐｅｄ　Ｂａ　Ｓｒ１　ｘＴｉＯｓ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｏｎ　ｐｏｌｙｃｒｙｓ—　２７仇萍荪，田虎永，罗维根，等．钇掺杂对ＢＳＴ薄膜材料性能的　ｔａｌｌｉｎｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ａｔ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ　ｂｅｔｗｅｅｎ一３５℃ａｎｄ　影响．功能材料，２００１，１０（增刊）：１４２５　＋８５℃．Ｓｏｌｉｄ－Ｓｔａｔｅ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，２００３，４７：２１９９　２８　Ｋ　ｙｏｕｎｇ—Ｔａｅ　Ｋｉｍ．Ｃｈａｎｇ－Ｉ１　Ｋｉｒｎ．Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　１８　Ｒａｄｈａｐｉｙａｒｉ　Ｌａｉｓｈｒａｍ，Ｔｈａｋｕｒ　Ｏ　Ｐ，Ｐｒａｋａｓｈ　Ｃｈａｎｄｒａ．　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｂｉ－ｄｏｐｅｄ　Ｂａｏ　６　Ｓｒ０　４　ＴｉＯｓ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　ａｎｄ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｙｓｔｅｍ　Ｂａｌ一　一　ｂｙ　ｓｏｌ　ｇｅｌ　ｍｅｔｈｏｄ．Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｅｎｇ，２００３，６６：８３５　ＳｒｘＦ　０ｌＴ　９９０３．Ｍａｔｅｒ　Ｌｅｔｔ，２００３，５７：１８２４　２９　Ｋｒｕｐａｎｉｄｈｉ　Ｓ　Ｂ，Ｐｅｎｇ　Ｊ　Ｃ．Ｓｔｕｄｉｅｓ　ｏｎ　ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｉ－　１９　Ｃｈｏｎｇ　Ｋ　Ｂ，Ｋｏｎｇ　Ｌ　Ｂ，Ｃｈｅｎ　Ｌｉｎｆｅｎｇ。ｅｔ　ａ１．Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ　ｏｆ　ｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｂａｒｉｕｍ　ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ　ｔｉｔａｎａｔｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｖｅｌ—　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｌＯＳＳ　ｔａｎｇｅｎｔ　ｏｆ　ＡＩ２　０３　ｄｏｐｅｄ　Ｂａｏ．５　Ｓｒ０　５　Ｔｉ（ｈ　ｔｈｉｎ　ｏｐｅｄ　ｂｙ　ｍｅｔａｌｌｏ－ｏｒｇａｎｉｃ　ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ・　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｔｕｎａｂｌｅ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ｄｅｖｉｃｅｓ．Ｊ　ＡＰＰｌ　Ｐｈｙｓ。２００４，９５：　１９９７。３０５：１４４　１４１６　３Ｏ刘茜．（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯｓ材料的制备与性能研究：［硕士学位论　２０　Ｌｉａｎｇ　Ｘｉａｏｆｅｎｇ，Ｗｕ　ＷｅｎＮａｏ，Ｍｅｎｇ　Ｚｈｏｎｇｙａｎ．Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　文］．上海：中国科学院上海硅酸盐研究所，２００３　ａｎｄ　ｔｕｎａｂｌｅ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｂａｒｉｕｍ　ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ　ｔｉｔａｎａｔｅ　３１　Ｓａｈａ　Ｓ，Ｋｒｕｐａｎｉｄｈｉ　Ｂ　Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｉｎ　Ａｌ—ｄｏｐｅｄ　ｂａｒｉ—　ｍｏｄｉｆｉｅｄ　ｗｉｔｈ　Ａｌ２　０３　ａｄｄｉｔｉｏｎ．Ｍａｔｅｒ　Ｓｃｉ　Ｅｎｇ，２００３，Ｂ９９：３６６　ｕｍ　ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ　ｔｉｔａｎａｔｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　ｐｕｌｓｅｄ　ｌａｓｅｒ　ｄｅｐｏ—　２１、　ｎｇ　Ｓ　Ｙ，Ｃｈｅｎｇ　Ｂ　Ｉ　，Ｗａｎｇ　Ｃａｎ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｃｅ　ｓｉｔｉｏｎ．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，２００１，９０（３）：１２５０　ｄｏｐｉｇｎ　ｏｎ　ｌｅａｋａｇｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｉｎ　Ｂａｏ　５　Ｓｒｏ．ｓ　ＴｉＯｓ　ｆｉｌｍｓ．Ｊ　Ｐｈｙｓ　Ｄ：　３２　Ｌｉａｎｇ　Ｒｕｉｈｏｎｇ，Ｄｏｎｇ　Ｘｉａｎｌｉｎ，Ｃｈｅｎ　Ｙｉｎｇ。ｅｔ　ａ１．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ＡＰＰｌ　Ｐｈｙｓ，２００５，３８：２２５３　Ｌａ２（　ｄｏｐｉｎｇ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｔｕｎａｂｌｅ　ａｎｄ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　２２　Ｓａｒｉｇ　Ｓｕｂ　Ｋｉｍ，Ｃｈａｎｒｏ　Ｐａｒｋ．Ｌｅａｋａｇｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｂｅｈａｖｉｏｒｓ　ｏｆ　ＢＳＴ／ＭｇＯ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ　ｆｏｒ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ｔｕｎａｂｌｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ．　ａｃｃｅｐｔｏｒ－ａｎｄ　ｄｏｎｏｒ－ｄｏｐｅｄ．ＢａｏＭａｔｅｒ　Ｃｈｅｍ　Ｐｈｙｓ，２００６，９５：２２２　．５　Ｓｒｏ　５．Ｔｉ０３　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｓｍ．ＡＰＰｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，１９９９，７５：２５５４　３３　Ｗａｎｇ　Ｒｕｅｙ－Ｖｅｎ．Ｐａｕｌ　Ｃ　Ｍｃｌｎｔｙｒｅ，Ｊｏｈｎ　Ｄ，ｅｔ　ａ１．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　Ｙ　２３　Ｃｏｌｅ　Ｍ　Ｗ，Ｊｏｓｈｉ　Ｐ　Ｃ，Ｅｒｖｉｎ　Ｍ　Ｈ．Ｌａ　ｄｏｐｅｄ　ａＢｌ－ｘＳｒ　Ｔｉ（）３　ｄｏｐｉｎｇ　ａｎｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ－ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ　ｅｌａｓｔｉｃ　ｓｔｒａｉｎ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃ－　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｔｕｎａｂｌｅ　ｄｅｖｉｃｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，　ｔｒｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ（Ｂａ。Ｓｒ）ＴｉＯｓ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ａｔ　２００１，８９：６３３６　５２０℃．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００５，８７：１９２９０６　２４　Ｓａｈ　Ｓ，Ｋｍｐａｎｉｄｈ　Ｓ　Ｂｉ．Ｌａｒｇｅ　ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｌｅａｋａｇｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　３４　Ｌｉｕ　Ｓｈａｏｂｏ，Ｌｉｕ　Ｍｅｉｄｏｎｇ，Ｊｉａｎｇ　ｈｅｎｇｌｉｎ，ｅｔ　ａ１．Ｍａｔｅｒ　Ｓｃｉ　ｂｙ　ｇｒａｄｅｄ－ｌａｙｅｒ　Ｌａ　ｄｏｐｉｎｇ　ｉｎ　Ｂａｏ　５　ＳｒｏＥｎｇ，２００３，Ｂ９９：５１１　．５　Ｔｉ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ．ＡＰＰｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００１，７９：ｌ１１　３５　Ｙａｎｇ　Ｘｉａｏｊｉｎｇ，Ｙａｏ　Ｘｉ，Ｚｈａｎｇ　Ｌｉａｎｇｙｉｇｎ．Ｔｈｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　２５杨春霞，周洪庆，刘敏，等．稀土掺杂的ＢＳＴＯ／ＭｇＯ铁电移　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ（Ｂ．Ｓｉ）ｄｏｐｅｄ（Ｂａ，Ｓｒ）Ｔｉ（ｈ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆａｂｒｉｃａ—　相材料．电子元件与材料，２００４，２３（９）：６　ｔｅｄ　ｂｙ　ｓｏｌ—ｇｅｌ　ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ．Ｃｅｒａｍ　Ｉｎｔ，２００４，３Ｏ：１７６３