堆叠器件以及相关的布局结构[发明专利]
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专利名称：堆叠器件以及相关的布局结构专利类型：发明专利
发明人：郭大鵬,卡洛斯·H·迪亚兹,王志豪,让-皮埃尔·科林格申请号：CN201610018400.4申请日：20160112公开号：CN105810681A公开日：20160727
摘要：本发明描述了堆叠器件和通过堆叠器件形成的电路。根据一些实施例，半导体柱从衬底垂直延伸。第一源极/漏极区域在半导体柱中。第一栅电极层横向环绕半导体柱并且垂直位于第一源极/漏极区域上方。第一栅极介电层夹置在第一栅电极层和半导体柱之间。第二源极/漏极区域在半导体柱中并且垂直位于第一栅电极层上方。第二源极/漏极区域连接至电源节点。第二栅电极层横向环绕半导体柱并且垂直位于第二源极/漏极区域上方。第二栅极介电层夹置在第二栅电极层和半导体柱之间。第三源极/漏极区域在半导体柱中并且垂直位于第二栅电极层上方。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：TW
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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