红外探测器低频噪声长时间监测系统设计

第２９卷第２期　２０１５年２　电子测量与仪器学报　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ　ＭＥＡｓＵＲＥＭＥＮＴ　ＡＮＤ　ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＡＴＩＯＮ　ｆ．２９　Ｎｏ．２　・２６５・　ＤＯＩ：１０．１３３８２／ｊ．ｊｅｍｉ．２０１５．０２．０１６　红外探测器低频噪声长时间监测系统设计　胡　为　（１．西安电子科技大学机电工程学院庄奕琪　西安包军林　赵启凤　西安７１００７１）　７１００７１；２．西安电子科技大学微电子学院摘要：针对锰钴镍氧化物薄膜型红外探测器的结构特点，提出了一种红外探测器低频噪声长时间监测系统设计方案，并　进行了测试验证。监测系统采用低噪声偏置电源激发红外探测器的低频噪声，然后将该低频噪声信号通过设计的高性能　前置放大器放大，利用基于ＰＣ的硬件平台采集放大后的噪声信号，最后通过编写的算法提取噪声信号的各种参量。实际　测试结果表明，该监测系统能在１０　ｋＨｚ的采样率下连续３０　ｄ不间断采集探测器的低频噪声，并实时计算噪声信号的峰峰　值、均方值、功率谱密度等参数，频率分辨率可达到Ｏ．０５　Ｈｚ。　关键词：锰钴镍氧化物薄膜；红外探测器；低频噪声　中图分类号：ＴＰ２１６；ＴＮ２１５　文献标识码：Ａ　国家标准学科分类代码：４６０．４０３０　Ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆ　ｌｏｗ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｌｏｎｇ－ｔｅｒｍ　ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ　ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　Ｈｕ　Ｗｅｉ　Ｚｈｕａｎｇ　Ｙｉｑｉ　Ｂａｏ　Ｊｕｎｌｉｎ　Ｚｈａｏ　Ｑｉｆｅｎｇ　（１．Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏ—Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｘｉｄｉａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ’ａｎ　７１００７１，Ｃｈｉｎａ；　２．Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｍｉｃｍｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ，Ｘｉｄｉａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ’ａｎ　７１００７１，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ　ｏｆ　ｔｅｒｎａｒｙ　Ｍｎ・－Ｎｉ・・Ｃｏ　ｏｘｉｄｅ，ａ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　ｌｏｎｇ－ｔｅｒｍ　ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ　ｏｆ　ｌｏｗ一￣ｅｑｕｅｎｃｙ　ｎｏｉｓｅ　ｉｓ　ｄｅｓｉｇｎｅｄ　ａｎｄ　ｔｅｓｔｅｄ．Ｔｈｅ　ｌｏｗ—ｆｒｅ—　ｑｕｅｎｃｙ　ｎｏｉｓｅ　ｏｆ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｗａｓ　ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ａ　ｌｏｗ　ｎｏｉｓｅ　ｂｉａｓ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｓｏｕｒｃｅ，ａｎｄ　ｔｈｅｎ　ｔｈｅ　ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ　ｒａｎ－　ｄｏｍ　ｎｏｉｓｅ　ｓｉｇｎａｌ　ｗａｓ　ｆｅｄ　ｔｈｒｏｕｇｈ　ａ　ｄｅｓｉｇｎｅｄ　ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｐｒｅａｍｐｌｉｉｅｒ．Ａｆｆｔｅｒ　ｔｈａｔ，ｔｈｅ　ａｍｐｌｉｆｉｅｄ　ｎｏｉｓｅ　ｓｉｇｎａｌ　ｗａｓ　ａｃｑｕｉｒｅｄ　ｂｙ　ａ　ＰＣ—ｂａｓｅｄ　ａｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎ　ｐｌａｔｆｏｒｍ，ａｎｄ　ｔｈｅｎ　ｖａｒｉｏｕｓ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｎｏｉｓｅ　ｓｉｇｎａｌ　ｗｅｒｅ　ｅｘｔｒａｃｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ｗｒｏｔｅ　ａｌｇｏｒｉｔｈｍｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ＰＣ　ｐｌａｔｆｏｒｍ．Ｔｈｅ　ｔｅｓｔ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｓｙｓｔｅｍ　ｃａｎ　ｃｏｎｓｅｃｕｔｉｖｅｌｙ　ａｃ—　ｑｕｉｒｅ　ｔｈｅ　ｌｏｗ一￣ｅｑｕｅｎｃｙ　ｎｏｉｓｅ　ｏｆ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ａｔ　１０　ｋＨｚ　ｓａｍｐｌｉｎｇ　ｒａｔｅ　ｆｏｒ　３０　ｄａｙｓ，ｃａｌｃｕｌａｔｅ　ｔｈｅ　ｐｅａｋ　ｔｏ　ｐｅａｋ　ｖａｌｕｅ，ｍｅａｎ　ｓｑｕａｒｅ　ｖａｌｕｅ，ｐｏｗｅｒ　ｓｐｅｃｔｒａｌ　ｄｅｎｓｉｔｙ　ａｎｄ　ｏｔｈｅｒ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｉｎ　ｒｅａｌ　ｔｉｍｅ，ａｎｄ　ｔｈｅ￣ｅｑｕｅｎｅｙ　ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　ａｃｈｉｅｖｅｄ　ｉｓ　ｕｐ　ｔｏ　０．０５　Ｈｚ．　Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＭＣＮＯ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ；ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ；ｌｏｗ一￣ｅｑｕｅｎｃｙ　ｎｏｉｓｅ　１　引　言　红外探测器是红外系统中的核心元件，用于将入　射的红外辐射能转变成另一种可测量的物理量。由　锰、钴、镍氧化物（ＭＣＮＯ）制成的负温度系数（ｎｅｇａｔｉｖｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｃｏｅｆｉｆｃｉｅｎｔ，ＮＴＣ）热敏电阻型红外探测器，　等优点而被大量应用于温度测量与控制、卫星姿态控　制等对质量与可靠性要求较高的应用场合　。　目前，针对ＭＣＮＯ型热敏电阻以及该类红外探　测器的研究主要集中于器件结构、薄片制作工艺与　电气特Ｉ生等方面¨４。，针对该类器件的低频噪声测试　系统与噪声特性的研究相对较少。陈坤峰等人　研　究用ＨＰ３５８９Ａ频谱分析仪测量热释电探测器和光　其电阻值随人射的红外辐射能量呈指数规律下降　，　由于其稳定ｌ生高、热常数（Ｂ常数）大以及其电阻率可　根据需要通过改变过渡金属氧化物的浓度进行调整　收稿Ｅｔ期：２０１４－０８　Ｒｅｃｅｉｖｅｄ　Ｄａｔｅ：２０１４－０８　导型ＨｇＣｄＴｅ器件，这种测试方法可以给出噪声的点　频值，但无法进一步提取低频噪声中各分量的噪声　电子测量与仪器学报　第２９卷　参数，而且频率分辨率有限；岳冬青等人＿６　提出采用　Ｂ＆Ｋ公司的多功能分析系统３５６０来分析ＨｇＣｄＴｅ　光号｜／光伏型探测器的１／ｆ噪声，该系统可以通过扩　展完成复杂的数据处理，但提供的扩展功能有限，而　且无法进行长时间监测；黄萌　基于虚拟仪器技术　建立了热敏电阻红外探测器低频噪声测试系统，该　系统无法对探测器内部主片与补片的噪声进一步进　行定位，而且无法进行长时间连续在线监测。　实际使用中发现，这种类型的红外探测器有时　会产生误触发甚至完全失效　Ｊ，而且部分器件在某　一个段时间内性能参数均正常，但工作一定时间之　后会出现部分参数的退化，经分析，探测器内部的　不良接触与热敏电阻内部的晶界缺陷导致的随机　噪声是可能的诱因。因此，有必要长时间监测探测　器的低频噪声并在特定的时刻准确测量并分析红　外探测器的低频噪声特性。　针对上述问题，提出了一种锰钴镍氧化物薄膜　型红外探测器低频噪声长时间监测系统的设计方　案。基于虚拟仪器技术，采用模块化设计方式，利　用低噪声的线性串联稳压电源与镍氢电池组２种　供电方案，提供低频噪声长时间连续监测与短时高　性能测试两种工作模式，实现了红外探测器低频噪　声长时间连续监测与时频噪声参数实时提取，并可　以根据需要进一步提取噪声分量参数。　２锰钴镍氧化物薄膜型红外探测　器及其低频噪声　红外探测器的结构如图１（ａ）所示，由锰钴镍　氧化物制备的２片ＮＴＣ型热敏电阻（分别称之为　主片和补片）浸没到聚光锗透镜上，其中主片接收　人射的红外辐射能量，补片作为温度补偿器件通过　阻挡层与红外辐射能量隔离，补片的制作材料和制　作工艺与主片相同，其目的是为了避免环境温度变　化对测试性能的影响。２片热敏电阻通过内引线　与封装上的外电极相连。　实际工作时，２片ＭＣＮＯ热敏电阻连接成电阻　桥的形式　，如图１（ｂ）所示，外接的电压源为电　阻桥路提供偏置电压。由于主片与补片完全匹配，　当没有红外能量入射时，桥路的直流输出为零；当　主片接收到红外照射时，其电阻率下降，电阻值减　小，桥路输出一个变化的电压信号，该电压信号为　人射红外能量的函数。　置　主片　ｌ　圭　她　地　Ｉ负偏置　图１红外探测器（ａ）（ｂ）与热敏电阻　薄片（ｅ）的结构　Ｆｉｇ．１　Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｄｉａｇｒａｍ　ｏｆ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　（ａ）（ｂ）ａｎｄ　ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ　ｆｉｌｍ（ｃ）　红外探测器内部热敏电阻的结构如图１（ｃ）所　示，由锰钴镍三元系氧化物制备的热敏电阻薄片的　厚度为ｌ０　ｍ，上、下２个表面溅射厚度１　ｔｘｍ的金　电极，然后在２个金电极上焊接铂丝作为内引线，　焊点的厚度约为５０　ｍ，制成的ＮＴＣ型热敏电阻　根据配方比例的不同在常温下的阻值在１５０～　２４０　ｋｎ［　。　红外探测器的低频噪声通常由热噪声、１／ｆ噪　声与产生．符合噪声（ｇ　ｒ噪声）叠加而成，其特性可　通过电压（或电流）噪声功率谱密度（ＰＳＤ）来描　述，由式（１）的经验公式来表示¨　：　５（　＝４＋　｝＋————｝¨（寺　　（１）　式中：Ａ为热噪声的幅度；　为１／ｆ噪声的幅度，　为　１／ｆ噪声的指数因子；Ｃ为ｇ・ｒ噪声的幅度，　为ｇ—ｒ　噪声的指数因子　为ｇ．ｒ噪声特征频率。　探测器的热噪声起源于热敏电阻薄片中载流　子的随机热运动，由器件的基本工作原理决定，不　第２期　红外探测器低频噪声长时间监测系统设计　能彻底消除。ｇ—ｒ噪声和１Ｉｆ噪声很大程度上由热　敏电阻薄片中的杂质与缺陷引起，其中ｇ—ｒ噪声由　重金属杂志和位错引起；ｌ／ｆ噪声由载流子迁移率　的随机涨落而产生，可分为基本１／ｆ噪声和过剩１／　厂噪声２种类型，后者是主要的１／ｆ噪声源，由器件　表面的氧化层陷阱以及晶格位错造成　。　红外探测器的低频噪声往往反映了器件的内　在质量和可靠性的优劣，各种噪声分量及其噪声参　量可作为品质因素来衡量器件的结构特性与工艺　缺陷。因此，准确测量探测器的低频噪声并精确提　取各种噪声分量参数是对器件进行物理特性分析　的前提　¨］。　３低频噪声长时间监测系统　针对ＭＣＮＯ型红外探测器的结构特点及其低　频噪声特性，为了准确监测低频噪声的变化，构建　的噪声测试系统由输入回路、低噪声前置放大器和　噪声采集与分析系统等几个部分构成，系统原理如　图２所示。　图２低频噪声长时间监测系统原理　Ｆｉｇ．２　Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｄｉａｇｒａｍ　ｏｆ　ｌｏｗ—ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｎｏｉｓｅ　ｌｏｎｇ－ｔｅｒｍ　ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ　ｓｙｓｔｅｍ　３．１输入回路　输入回路为红外探测器提供偏置，并通过合适　的激励激发探测器的低频噪声，便于后续模块对该　噪声进行分析处理。　低频噪声监测系统输人回路的结构与图１（ｂ）　中的电路类似。红外探测器内部的主片与补片组　成电阻桥路的结构，为了区分是主片还是补片（或　两者同时）引起探测器噪声的变化，使用了２个替　代电阻，替代电阻使用噪声性能较好的线绕电阻　器，且电阻值与主片（补片）的阻值相等，如图２所　示。外部施加的直流偏置电压使探测器保持在正　常工作状态，同时也用来激发探测器内部的潜在噪　声源，为了避免电压源的噪声对测试精度的影响，　采用两种设计方案：短时间测量时，选用本底噪声　非常低的镍氢电池组供电，长时间监测时，通过精　心设计的低噪声线性串联稳压电源供电。　为了准确定位探测器的噪声源，设计了４种测　试状态：　１）热噪声测试，图２中的偏置电源输人端全部　接地，主片与补片同时接人测试回路，测试探测器　在零偏压下的热噪声；　２）总噪声测试，偏置电源输入端接人合适的　偏置电压，主片与补片同时接人测试回路，测试探　测器在特定偏置下的总噪声；　３）主片噪声测试，偏置电源输入端接入合适　的偏置电压，主片接人测试回路，补片用替代电阻　代替，测试主片在特定偏置下的噪声特性；　４）补片噪声，偏置电源输入端接人合适的偏　置电压，补片接入测试回路，主片用替代电阻代替，　测试补片在特定偏置下的噪声特性。　采取了一系列的措施来避免输入回路中的干　扰对测试精度的影响。测量过程中，将红外探测器　的聚光锗窗口遮挡，以避免环境光线变化带来的干　扰；采用多层屏蔽的方式，使用屏蔽电缆连接输入　回Ｆ路与后级的低噪声前置放大器，避免外界电磁　干扰的影响。最后利用线绕电阻的热噪声为测试　系统进行校准。　３．２低噪声前置放大电路　低噪声前置放大电路将红外探测器产生的微　弱噪声信号放大到适当的幅度，便于后一级的噪声　电子测量与仪器学报　第２９卷　采集系统采集噪声信号。ＭＣＮＯ型红外探测器可　等效为２个热敏电阻的并联，其低频噪声包含热噪　声、１　噪声和ｇ．ｒ噪声，其中热噪声的幅度最小，　因此设计低噪声前置放大电路时主要考虑放大倍　数（通常在８０　ｄＢ以上）、放大器的本底噪声　（１００　Ｈｚ时小于１０Ｅ一１７　Ｖ　／Ｈｚ，比探测器等效电　阻的热噪声小一个数量级以上）和放大器的输入　阻抗（１０　ＭＱ以上）３个指标　１３－１４］。设计的低噪声　前置放大器采用两级级联的方式实现，利用ＪＦＥＴ　对管组成的放大电路作为输入级以满足高输入阻　抗和低噪声的要求，ＯＰ９７运算放大器组成的放大　电路作为第二级，用于放大倍数的调整。经测试，　设计的前置放大器本底噪声为５．０６Ｅ一１７　Ｖ　／Ｈｚ，　放大倍数为８０　ｄＢ，并可以根据需要调整。低噪声　前置放大电路中还含有一个带宽可选的带通滤　波器。　３．３噪声采集与分析系统　放大之后的噪声信号通过噪声采集系统变换　为数字信号之后进行数据分析。噪声采集与分析　系统基于虚拟仪器技术设计　埔Ｊ，包含Ｐｃ和数据　采集卡，由于主要关注１０　ｋＨｚ以下的低频噪声信　号，数据采集卡的采样率高于２０　ｋＳ／ｓ，分辨率达到　ｌ６　ｂｉｔ即可满足要求。　在ＰＣ上基于ＬａｂＶ￣Ｗ开发平台编写应用程序　控制数据的采集与存储，同时实时地对采集到的数　字信号进行分析处理，分析的内容包括信号的时域　参量峰峰值、均值与峰值系数和频域参量功率谱密　度与宽带噪声电压等，同时可以根据需要按照式（１）　进一步提取噪声分量参量以及统计爆裂噪声参数。　为了降低系统噪声导致的测量误差，在进行频　域分析时采用多次平均的处理方法，平均次数可根　据实际需要在软件中进行调整。考虑到采样频率　与系统缓存大小的限制，实现的频域分析模块的频　率分辨率可达０．０５　Ｈｚ，该参数同样可以根据实际　需要在软件中进行设置。　４测试结果分析　Ｐｃ上的噪声测试软件对数据采集卡采集到的　噪声数据实时的进行时域与频域分析，时域分析包　括统计噪声信号的峰一峰值、均方值和峰值系数等　参数，频域分析则对时域数据进行傅里叶变化，计　算其功率谱密度，并根据需要按照式（１）对功率谱　密度曲线进行拟合，提取各种噪声分量参数。　当进行热噪声测试时，偏置电源输入端接地，　此时红外探测器相当于２个并联的电阻，测得的结　果近似为电阻的热噪声。进行总噪声测试时，热敏　电阻桥路两端接入合适的偏置电压，此时测得的噪　声包含主片与补片两者的低频噪声，如果测得的噪　声信号异常，为了进一步鉴别是主片还是补片导致　的噪声异常，可分别用替代线绕电阻分别代替主片　或补片进行总噪声测试。所有数据测试均在室温　下进行（Ｔ＝２９８Ｋ），并通过多次平均法降低干扰。　图３为利用研制的红外探测器低频噪声监测　系统对一个红外探测器样品在室温下进行噪声测　试的结果，前置放大器的带宽设置为０．１　Ｈｚ～　１　ｋＨｚ，纵坐标为噪声电压功率谱密度，单位Ｖ　／Ｈｚ。　图３（ａ）为零偏置下的测试结果，可见，此时红外探　测器的低频噪声呈现热噪声特性，只有在４　Ｈｚ以　下时有少量的１／ｆ噪声，由系统的本底噪声所导　致。该热噪声特性与１００　ｋＯ的线绕电阻的热噪声　特性基本一致，该电阻与实际测得的红外探测器的　主片和补片并联后的电阻值相吻合。　图３红外探测器的热噪声（ａ）与总噪声（ｂ）　Ｆｉｇ．３　Ｔｈｅｒｍａｌ　ｎｏｉｓｅ（ａ）ａｎｄ　ｔｏｔａｌ　ｎｏｉｓｅ　（ｂ）ｏｆ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　对同一红外探测器样品进行总噪声测试结果　如图３（ｂ）所示，偏置电压为±２７　Ｖ，其他测试条件　保持不变。由图可见，在直流偏置的激励下，红外　探测器表现出明显的１／ｆ噪声，同时可以注意到，　该样品的ｇ．ｒ噪声可以忽略。噪声特性曲线在　１　ｋＨｚ频率处的下降是由于前置放大器中的带通滤　第２期　红外探测器低频噪声长时间监测系统设计　波器的宽带限制。　表１点频噪声测量结果　Ｔａｂｌｅ　１　Ｓｐｏｔ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｎＯｉｓｅ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｒｅｓｕｌｔｓ　噪声测试软件可以实时提取功率谱密度在　特定频率下的噪声点频值。表１给出了红外探　测器样品的热噪声（｝｝１）、总噪声（＃２）、１００　ｋＱ　线绕电阻热噪声理论值（＃３）以及样品热噪声与　热噪声理论值的偏差（＃４），可以看到１　Ｈｚ频点　处，由于系统１／ｆ噪声的影响，测得的样品热噪　声与理论值偏差较大，但由于样品的总噪声在　１　Ｈｚ频点处的噪声比热噪声大一个数量级以上，　因此系统１／ｆ噪声不会对测试精度带来影响。　在１０～１００　Ｈｚ频点处样品热噪声的测试值与理　论值的误差非常小，表明白行研制的测试系统　的测量结果是准确可信的。　按照式（１）对被测探测器样品的总噪声功率　谱密度曲线进行拟合，可以得到样品的噪声分量参　数如表２所示。　表２噪声分量提取结果　Ｔａｂｌｅ　２　Ｎｏｉｓｅ　ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ　ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ　ｒｅｓｕｌｔｓ　利用研制的低频噪声监测系统对２个ＭＣＮＯ型　红外探测器样品在电应力下低频噪声的变化进行测　试分析。实验过程如下：对样品２７＃和样品１０８＃施　加递增的偏置电压（±９Ｖ，±１３Ｖ，－Ｉ－１７Ｖ，±２１Ｖ，±　２７Ｖ，±３０Ｖ，±３４Ｖ），测试两样品在１～３０Ｈｚ带宽内　噪声电压随偏置电压的变化关系，为了避免不同红　外探测器常温下电阻值差异带来的影响，采用噪声　系数（ｎｏｉｓｅ　ｉｆｇｕｒｅ，ＮＦ）进行分析，噪声系数定义为　相同带宽下总噪声与热噪声的比值。　噪声测试系统可以在测试完热噪声与总噪声　之后自动计算指定带宽内的噪声系数。测试结果　如图４所示，可见，偏置电压小于２７　Ｖ时，随偏置　电压的增加，噪声系数线性增大，与１／ｆ噪声特性　表现一致，但当偏置电压大于２７　Ｖ，样品在大的电　压激励下表现出不同于ｉ／ｆ噪声特性的特征，而且　不同样品的变化趋势并不一样，２７＃样品随偏置电　压的增大噪声系数趋于饱和，而１０８＃样品的噪声　系数随偏置电压的增加迅速增大。　２．８０　２．６０　２．４０　缸１．８０　棼１．６０　１．４０　１．２０　１．ＯＯ　图４总噪声随偏置电压的变化关系　Ｆｉｇ．４　Ｔｈｅ　ｖａｒｉａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＮＦ　ａｓ　ａ　ｆｕｎｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｂｉａｓ　ｖｏｌｔａｇｅ　１／ｆ噪声为平稳遍历型的随机信号，根据文献　［１０］，１／ｆ噪声的大小与所施加偏置的平方成正　比，Ｓ　，。ｃ　Ｕ２或Ｓ，。ｃ，２，因此，在１／ｆ噪声占支配地　位的情况下，红外探测器的噪声系数应该与电应力　成正比。图４的测试结果表明探测器在高电应力　条件下出现了新的噪声机制。　５　结　论　针对锰钴镍氧化物薄膜型红外探测器的结构　特性，设计了低频噪声的长时间监测系统。系统可　在１０　ｋＨｚ采样率下连续３０　ｄ监测探测器的低频噪　声，并实时计算峰一峰值、均方值、峰值系数和功率　谱密度等时频域参数，频率分辨率可达０．０５　Ｈｚ。　针对关键器件，测试系统可按照热噪声、总噪声、主　片噪声与补片噪声等测试状态依次进行噪声参数　测试，自动提取指定频率点的点频噪声与指定带宽　内的宽带噪声电压并计算噪声系数。可以对功率　谱密度曲线进行拟合，提取红外探测器低频噪声的　热噪声分量、１／ｆ噪声分量和ｇ．ｒ噪声分量。通过　实际测试结果与电阻热噪声理论值进行对比，验证　了测试系统的准确性。该系统为进一步分析ＭＣ．　ＮＯ型红外探测器的噪声机理奠定了基础。　参考文献　［１］ＧＡＯ　Ｙ　Ｑ，ＨＵＡＮＧ　Ｚ　Ｍ，ＨＯＵ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｍｎ１．５６　Ｃｏ０Ｎｉ０．９６　．４８　０４　ＮＴＣ　ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ　ｉｆｌｍｓ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒｉｌａｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒ－　ｉｎｇ：Ｂ，２０１４，１８５（７）：７４－７８．　・２７０・　电子测量与仪器学报　第２９卷　［２］　ＭＵＲＡＬＩＤＨＡＲＡＮ　Ｍ　Ｎ，ＳＵＮＮＹ　Ｅ　Ｋ，ＤＡＹＡＳ　Ｋ　Ｒ，　ｅｔ　ａ１．Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｐｒｏｄｕｃ—　ｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｎｉ——Ｍｎ——Ｃｏ——Ｆｅ　ｂａｓｅｄ　ＮＴＣ　ｃｈｉｐ　ｔｈｅｒ—　ｍｉｓｔｏｒｓ　ｔｈｒｏｕｇｈ　ｔａｐｅ　ｃａｓｔｉｎｇ　ｒｏｕｔｅ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｌｌｏｙｓ　ａｎｄ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，２０１１，５０９（３８）：９３６３－９３７１．　［３］　ＫＡＲＡＮＴＨ　Ｓ，ＳＵＭＥＳＨ　Ｍ　Ａ，ＳＨＯＢＨＡ　Ｖ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎ—　ｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ　ｏｆ　ｔｅｒｎａｒｙ　Ｍｎ——Ｎｉ——Ｃｏ——Ｏ　ｏｎ　ｍｉｃｒｏ—ｍａｃｈｉｎｅｄ　ｔｈｅｒｍａｌ　ｉｓｏｌａ—　ｔｉｏｎ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［Ｊ］．Ｓｅｎｓｏｒｓ　ａｎｄ　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ　Ａ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ，　２００９（１５３）：６９－７５．　［４］ＸＩＯＮＧ　Ｋ，ＺＨＡＯ　Ｓ　Ｘ，ＬＩ　Ｄ　Ｆ，ｅｔ　１ａ．Ｓｔｕｒｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｅｌｅｃ—　ｔｒｉｃａｌ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　Ｍｎ１　５＿０　５　Ｃｏｏ如３　Ｎｉｏ∞２ｘＣｕ　０４　ＮＴＣ　ｃｅｒａｍｉｃｓ　ｐｒｅ－ｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓ　ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ［Ｊ］．　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｆｏ　Ａｌｌｏｙｓ　ａｎｄ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，２０ｌ４，６０６（９）：２７３加．　［５］　陈坤峰，汪永忠，应承平．红外探测器噪声的测　量［Ｊ］．红外技术，１９９７（６）：２１－２４．　ＣＨＥＮ　Ｋ　Ｆ，ＷＡＮＧ　Ｙ　ＺＨ，ＹＩＮＧ　ＣＨ　Ｐ．Ｎｏｉｓｅ　ｍｅａｓ—　ｕｒｅｍｅｎｔ　ｏｆ　ＩＲ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，　１９９７（６）：２ｌ－２４．　［６］岳冬青，李燕兰．红外探测器的１／ｆ噪声谱测试［Ｊ］．　红外与激光工程，２００１（２）：１５５—１５６．　ＹＵＥ　Ｄ　Ｑ，ＬＩ　Ｙ　Ｌ．１／ｆ　ｎｏｉｓｅ　ｓｐｅｃｔｒｕｍ　ｔｅｓｔ　ｏｆｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ［Ｊ］．Ｉｎｆｒａｒｅｄ　ａｎｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，　２００１（２）：１５５—１５６．　［７］　黄萌．一种热敏电阻红外探测器低频噪声测试系　统［Ｊ］．计算机测量与控制，２０１２（２）：３１８－３２０．　ＨＵＡＮＧ　Ｍ．Ａ　ｌｏｗ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｎｏｉｓｅ　ｔｅｓｔ　ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　ｔｈｅｒ—　ｍｉｓｔｏｒ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ［Ｊ］．Ｃｏｍｐｕｔｅｒ　Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ＆　Ｃｏｎｔｒｏｌ，２０１２（２）：３１８－３２０．　［８］　ＣＨＶＡＴＡＬ　Ｍ，ＳＥＤＬＡＫＯＶＡ　Ｖ，ＭＭＺＮＥＲ　Ｊ．Ｎｏｉｓｅ　ａ—　ｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ『Ｃ］．３２ｎｄ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｐｒｉｎｇ　Ｓｅｍｉｎａｒ　ｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ＩＳＳＥ　２００９），　２０ｏ９．　［９］　ＳＨＡＮＫＡＲ　Ｂ　Ｂ，ＭＡＲＴＩＮ　Ｒ　Ｒ，ＡＬＡＮ　Ｐ．Ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ　ｉｆｌｍ　ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ　ＩＲ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ［ｃ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ＳＰＩＥ　２２２５，Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ａｎｄ　Ｆｏｃａｌ　Ｐｌａｎｅ　Ａｒｒａｙｓ　ＩＩＩ，　Ｊｕｌｙ　１５，１９９４．　［１０３庄奕琪，孙青．半导体器件中的噪声及其低噪声化技　术［Ｍ］．北京：国防工业出版社，１９９３．　ＺＨＵＡＮＧ　Ｙ　Ｑ，ＳＵＮ　Ｑ．Ｎｏｉｓｅ　ａｎｄ　ｉｔｓ　ｍｉｎｉｍｉｚｉｎｇ　ｔｅｃｈ－　ｎｏｌｏｇｙ　ｉｎ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｍ］．Ｂｅｉｊｉｎｇ：Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｅｆｅｎｓｅ　Ｉｎｄｕｓｔｙｒ　Ｐｒｅｓｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ，１９９３．　［１１］包军林，庄奕琪，杜磊，等．基于虚拟仪器的电子器　件低频噪声测试分析系统［Ｊ］．仪器仪表学报，　２００４，２５（增刊１）：３５１－３５３，３５６．　ＢＡＯ　Ｊ　Ｌ，ＺＨＵＡＮＧ　Ｙ　Ｑ，ＤＵ　Ｌ，ｅｔ　ａ１．Ｎｏｉｓｅ　ｔｅｓｔｉｎｇ　ａｎｄ　ａｎａｌｙｚｉｎｇ　ｓｙｓｔｅｍ　ｏｆ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｄｅｖｉｃｅ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｖｉｒｔｕ－　ａｌ　ｉｎｓｔｕｒｍｅｎｔａｔｉｏｎ『Ｊ］．Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｔｉｉｆｃ　Ｉｎ—　ｓｔｒｕｍｅｎｔ，２００４，２５（Ｓｕｐｌ　１）：３５１－３５３，３５６．　［１２］ＨＵ　Ｗ，ＺＨＵＡＮＧ　Ｙ　Ｑ，ＢＡＯ　Ｊ　Ｌ，ｅｔ　１ａ．Ｌｏｗ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｎｏｉｓｅ　ａｎｄ　ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｔｅｒｎａｒｙ　Ｍｎ—Ｎｉ　Ｃｏ『Ｃ］．２０１３　２２ｎｄ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｎ　Ｎｏｉｓｅ　ａｎｄ　Ｆｌｕｃｔｕａｔｉｏｎｓ（ＩＣＮＦ），２４－２８　Ｊｕｎｅ，２０１３：１－４．　［１３］王秀华．前置低噪声放大器的研究与设计［Ｊ］．电子　测量技术，２０１３，３６（６）：３５－３７．　ＷＡＮＧ　Ｘ　Ｈ．Ｒｅｓｅａｒｃｈ　ａｎｄ　ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｌｏｗ　ｎｏｉｓｅ　ｐｒｅ—　ａｍｐｌｉｉｆｅｒ［Ｊ］．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，　２０１３，３６（６）：３５－３７．　［１４］兰羽，张玉洁．光电探测中低噪声前置放大器的设　计［Ｊ］．国外电子测量技术，２０１２，３１（６）：８４－８６．　ＬＡＮ　Ｙ．ＺＨＡＮＧ　Ｙ　ｊ．Ｔｈｅ　ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆ　ａ　ｐｒｅｐｏｓｉｔｉｏｎａｌ　ａｍｐｌｉ—　ｉｔｅｒ　ｗｉｔｈ　ｌｏｗ—ｎｏｉｓｅｓ　ｉｎ　ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃｉｔｙ　ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ．Ｆｏｒｅｉｇｎ　Ｅｌｅｃｔｏｒｎｉｃ　Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１２，３１（６）：８４—８６．　［１５］董伟波，王茜蓓，韩旭．基于虚拟仪器技术的ＡＰＤ噪　声等效功率测量系统［Ｊ］．仪器仪表学报，２０１１，　３２（１１）：２６３５—２６４０．　ＤＯＮＧ　Ｗ　Ｂ，ＷＡＮＧ　Ｑ　Ｑ，ＨＡＮ　Ｘ．Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｓｙｓ—　ｔｅｍ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｎｏｉｓｅ　ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ　ｐｏｗｅｒ　ｏｆ　ａｖａｌａｎｃｈｅ　ｄｉｏｄｅ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｖｉｒｔｕａｌ　ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ『Ｊ］．Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｔｉｉｆｃ　Ｉｎｓｔｕｒｍｅｎｔ，２０１１，３２（１１）：２６３５－２６４０．　［１６］张琪，侯加林，闫银发，等．基于虚拟仪器的电路板故　障检测与诊断系统的研究［Ｊ］．电子测量与仪器学　报，２０１１，２５（２）：１３５—１４０．　ＺＨＡＮＧ　Ｑ．ＨＯＵ　Ｊ　Ｌ．ＹＡＮ　Ｙ　Ｆ，ｅｔ　ａ１．Ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｏｎ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｂｏａｒｄ　ｆａｕｌｔ　ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｄｉａｇｎｏｓｉｓ　ｓｙｓｔｅｍ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｖｉｔｒｕａｌ　ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ『Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｍｅａｓ—　ｕｒｅｍｅｎｔ　ａｎｄ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ，２０１　１，２５（２）：１３５—１４０．　［１７］赵立威，钟圣芳．基于虚拟仪器的电磁频谱自动测量　系统［Ｊ］．电子测量技术，２０１３，３１（３）：７６—８０．　ＺＨＡＯ　Ｌ　Ｗ，ＺＨＯＮＧ　ＳＨ　Ｆ．Ａｕｔｏｍａｔｉｃ　ｔｅｓｔ　ｓｙｓｔｅｍ　ｏｆ　ｅ—　ｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ　ｓｐｅｃｔｒｕｍ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｖｉｒｔｕａｌ　ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ　［Ｊ］．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１３，　３ｌ（３）：７６—８０．　［１８］宋伶才，董文博，席隆．基于虚拟仪器的空间加速度　测量模块的检测系统［Ｊ］．国外电子测量技术，２０１２，　３１（１０）：１５－１８．　ＳＯＮＧ　Ｌ　Ｃ，ＤＯＮＧ　Ｗ　Ｂ，ＸＩ　Ｌ．Ｇｒｏｕｎｄ　ｄｅｔｅｃｔｉｎｇ　ｓｙｓ－　ｔｅｍ　ｆｏｒ　ｓｐａｃｅ　ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｍｏｄｕｌｅ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｖｉｔｒｕａｌ　ｉｎｓｔｕｒｍｅｎｔ『Ｊ　１．Ｆｏｒｅｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１２，３１（１０）：１５－１８．　作者简介　胡为，１９８１年出生，毕业于西安电子科技大学，现任　西安电子科技大学讲师。目前主要研究方向为微弱信号　第２期　检测与分析技术研究。　Ｅ—ｍａｉｌ：ｈｕｗｅｉｐｒｏ＠ｑｑ．ｔｏｍ　红外探测器低频噪声长时间监测系统设计　包军林，１９７３年出生，西安电子科技大学副教授，主要　从事集成电路封装设计、微电路可靠性评估、微弱信号检　测等领域的研究。　Ｂａｏ　Ｊｕｎｌｉｎ　ｗａｓ　ｂｏｒｎ　ｉｎ　１９７３，ａｎｄ　ｎｏｗ　ｈｅ　ｉｓ　ａｎ　ａｓｓｏｃｉａｔｅ　ｐｒｏｆｅｓｓｏｒ　ｉｎ　Ｘｉｄｉａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ．Ｈｉｓ　ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｉｎｔｅｒｅｓｔｓ　ｉｎｃｌｕｄｅ　ＩＣ　ｐａｃｋａｇｅ　ｄｅｓｉｇｎ，ｍｉｃｒｏｃｉｒｃｕｉｔ　ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　ａｓｓｅｓｓｍｅｎｔ，ａｎｄ　ｗｅａｋ　ｓｉｇｎａｌ　ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　ａｎａｌｙｓｉｓ．　Ｈｕ　Ｗｅｉ　ｗａｓ　ｂｏｍ　ｉｎ　１９８１，ｇｒａｄｕａｔｅｄ　ｆｒｏｍ　Ｘｉｄｉａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉ—　ｔｙ，ｌｅｃｔｕｒｅｒ　ｉｎ　Ｘｉｄｉａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｏｒ－Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒ－　ｉｎｇ．Ｔｈｅ　ｍａｉｎ　ｓｔｕｄｙ　ｆｉｅｌｄ　ｉｓ　ｗｅａｋ　ｓｉｇｎａｌ　ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　ａｎａｌｙｓｉｓ．　庄奕琪，１９５７年出生，教授，西安电子科技大学微电子　学院院长，主要研究方向通信与功率系统集成，微电子器　件噪声可靠性检测以及高性能ＲＦ　ＩＣ设计。　Ｚｈｕａｎｇ　Ｙｉｑｉ　ｗａｓ　ｂｏｒｎ　ｉｎ　１９５７．Ｈｅ　ｉｓ　ｃｕｒｒｅｎｔｌｙ　ａ　ｐｒｏｆｅｓ—　ｓｏｒ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｄｅａｎ　ｏｆ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｘｉｄｉａｎ　Ｕｎｉ—　ｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ’ａｎ，Ｃｈｉｎａ．Ｈｉｓ　ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｉｎｔｅｒｅｓｔｓ　ｉｎｃｌｕｄｅ　ｃｏｍｍｕ－　赵启凤，１９７９年出生，目前就读于西安电子科技大学　微电子学院攻读博士学位，主要研究方向为半导体器件可　靠性研究。　Ｚｈａｏ　Ｑｉｆｅｎｇ　ｗａｓ　ｂｏｒｎ　ｉｎ　１９７９．Ｈｅ　ｉｓ　ｎＯＷ　ａ　Ｐｈ．Ｄ．ｃａｎ—　ｄｉｄａｔｅ　ａｔ　ｔｈｅ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｘｉｄｉａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，　Ｘｉ’ａｎ，Ｃｈｉｎａ．Ｈｉｓ　ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｉｎｔｅｒｅｓｔｓ　ｉｎｃｌｕｄｅ　ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｄｅｖｉｃｅｓ．　ｎｉｃａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｐｏｗｅｒ　ｓｙｓｔｅｍ　ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ，ｎｏｉｓｅ　ａｎｄ　ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｄｅｖｉｃｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ａｎｄ　ｈｉｇｈ　ｐｅｒ－　ｆｏｒｍａｎｃｅ　ＲＦＩＣ　ｄｅｓｉｇｎ．　是德科技ＵＸＭ无线综测仪增添３ＣＣ等测量功能　进一步丰富ＬＴＥ－Ａ终端测试能力　直观的图形触发可以帮助快速、高效地解决问题　２０１５年１月２８　Ｅｔ，北京——是德科技公司　是德科技移动宽带事业部总经理Ｊｏｅ　ＤｅＰｏｎｄ　（ＮＹＳＥ：ＫＥＹＳ）日前宣布Ｅ７５１５Ａ　ＵＸＭ无线测试　仪增添新功能。这些新功能可以应对快速发展的　３　ＧＰＰ　ＬＴＥ—Ａｄｖａｎｃｅｄ载波聚合技术的迫切需求。　表示：“ＵＸＭ的先进测试功能可以帮助我们的用户　应对最新且不断演进的无线终端验证和测试挑战。　ＵＸＭ采用了强大而灵活的平台体系结构，使我们　可以满足最新高性能ＬＴＥ—Ａｄｖａｎｃｅｄ芯片组和用户　设备设计的这些新要求，以及未来的要求。”　有关Ｋｅｙｓｉｇｈｔ　ＵＸＭ无线测试仪的更多信息，　请访问：、们ｖｗ．ｋｅｙｓｉｇｈｔ．ｃｏｍ／ｆｉｎｄ／ＵＸＭ。高清晰度　图片请见ｗｗｗ．ｋｅｙｓｉｇｈｔ．ｃｏｍ／ｆｉｎｄ／ＵＸＭ—ｉｍａｇｅｓ。　观看演示ＵＸＭ通用功能的视频，请访问优酷。有　关Ｅ７５１５Ａ　ＵＸＭ的价格和交付信息，请访问ＷＷＷ．　ｋｅｙｓｉｇｈｔ．ｃｏｍ／ｆｉｎｄ／ｃｏｎｔａｃｔｕｓ并与是德科技联系。　关于是德科技　ＵＸＭ无线测试仪是高度集成的信令综测仪，　适用于４Ｇ及未来的功能和射频设计验证。ＵＸＭ　支持多小区、下行链路和上行链路载波聚合、４×２　ＭＩＭＯ和内置衰落——使用户可以信心十足地评　测他的设计水平。　Ｅ７５　１５Ａ　ＵＸＭ无线测试仪更新：　・通过聚合３个２０　ＭＨｚ子载波，为芯片组和　无线终端设计人员提供验证４５０　Ｍｂｐｓ下行链路端　到端ＩＰ数据吞吐量的功能　・使用内置的经业界验证的ｘ系列测量应用　软件，支持ＦＤＤ和ＴＤＤ的２ＣＣ上行链路载波聚　合，通过频段内测量结果，对１００　Ｍｂｐｓ上行链路数　据速率实施验证　・提供适用于众多移动终端测试应用软件的　是德科技（ＮＹＳＥ：ＫＥＹＳ）是全球电子测量技术和　市场的领导者，致力于推动航空航天与国防电子、无　线通信、数字电路、半导体工业自动化、模块化和软件　解决方案的持续创新，专注于为客户提供卓越的测量　体验。是德科技所提供的电子测量仪器、系统和相关　领先功能特性，包括射频性能、数据吞吐量、移动性　能、电池耗电、功能性和ＯＴＡ等　・提供对器件验证的进一步增强，例如ｅＩＣＩＣ、　６４ＱＡＭ上行链路调制和多小区移动性　软件，以及软件设计工具和服务，可广泛应用于电子　设备的设计、研发、制造、安装、部署和运营。如欲了　解是德科技详细信息，请访问ｗｗｗ．ｋｅｙｓｉｇｈｔ．ｃｏｍ。