光阻去除方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201010102305.5 （22）申请日 2010.01.27

（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

（10）申请公布号 CN102135733A

（43）申请公布日 2011.07.27

（72）发明人 孙武

（74）专利代理机构 北京市磐华律师事务所

代理人 董巍

（51）Int.CI

G03F7/36;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

光阻去除方法

（57）摘要

本发明公开了一种光阻去除方法，所述半

导体结构包括：由低k和/或超低k材料构成的中间介电层、在所述中间介电层上方形成的ODL底部抗反射层、在所述ODL底部抗反射层上形成的基于硅的抗反射层Si-ARC层，以及在所述Si-ARC层上方形成的光刻胶层，所述方法包括：用等离子体方法去除光刻胶层；用CF4等离子体去除Si-ARC层，其中在去除过程中，CF4的气体流

量和偏置功率中的至少一个随时间而降低；以及用等离子体方法去除ODL底部抗反射层。本发明还提供了通过上述方法获得的半导体结构、半导体器件，以及包含这样的半导体器件的电子设备。利用本发明的光阻去除方法，可以在重加工过程中清除不理想的光阻，减少残余，并且减小光阻去除过程对低k/超低k材料构成的介电层的损害。

法律状态

法律状态公告日

2011-07-27 2011-09-07 2012-12-05 2013-02-06

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

专利申请权、专利权的转移

法律状态

公开

实质审查的生效 授权

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

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说明书

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