一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池金属电极暴露方法[发明专利]
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专利名称:一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池金属电极暴露方法专利类型:发明专利
发明人:张宁,余新平,丁阳,韩美英,李爽,徐会杰,戴万雷申请号:CN201710259867.2申请日:20170420公开号:CN107180892A公开日:20170919
摘要:本发明提出一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池金属电极暴露方法。该电池组件在垂直方向上从下至上依次为背板透光衬底层、非透明导电金属层、薄膜光电转化层、透明导电氧化物层、封装层和前板透光衬底层。此电极暴露方法利用激光器配合扫描振镜进行工作,使用一定波长的激光对需要暴露电极的位置进行扫描照射,通过利用不同膜层对激光的吸收程度不同的原理,达到剥离薄膜光电转化层及透明导电氧化物层,并保留非透明导电金属层的目的。此种工艺可稳定可靠,并使得金属汇流条能够直接接触金属电极,降低薄膜太阳能电池内阻,实现更高的转化效率。
申请人:北京四方创能光电科技有限公司,北京四方继保自动化股份有限公司
地址:100085 北京市海淀区上地四街9号四方大厦
国籍:CN
代理机构:北京金阙华进专利事务所(普通合伙)
代理人:吴鸿维
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